MOS管導通特性概述

金屬-氧化層?半導體場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor,?MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect?transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為“N型”與“P型”?的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS?FET、PMOS?FET、nMOSFET、pMOSFET等。

MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。和晶體管不一樣，MOS管的參數中沒(méi)有直接給出管壓降，而是給出導通電阻Rds（on），SI2301的導通電阻在Dd=3.6A時(shí)是85mΩ，在Id=2A時(shí)是115mΩ，這樣可算出它的管壓降在3.6A和2A時(shí)分別為0.306V和0.23V。

導通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅動(dòng))，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。?PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì )導通，使用與源極接VCC時(shí)的情況(高端驅動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動(dòng)，但由于導通電阻大，價(jià)格貴，替換種類(lèi)少等原因，在高端驅動(dòng)中，通常還是使用NMOS。

mos管導通壓降多大

如圖一個(gè)用于信號控制的小功率N溝道MOS管2N7000，當Rds（on）是MOS管導通時(shí)，D極和S極之間的內生電阻，它的存在會(huì )產(chǎn)生壓降，所以越小越好。D極與S極間電流Id最大時(shí)完全導通。在圖中可以看到Vgs=10v完全導通，電阻Rds=5歐左右，電流Id=500mA（最大，完全導通），產(chǎn)生壓降Vds=2.5v。而Vgs=4.5v時(shí)，Id=75mA（不是最大，沒(méi)完全導通），Rds=5.3歐左右，雖然沒(méi)完全導通，但產(chǎn)生的壓降Vds=0.4v最小，比Vgs=10v產(chǎn)生的壓降小得多。對于信號控制（控制DS極導通接地實(shí)現高低平）來(lái)說(shuō)只要電壓，不需要電流（為什么？這里是信號和電源的區別，基礎很重要，這里不做解釋?zhuān)欢恼埾葠貉a一下基礎），所以只要求MOS管導通時(shí)產(chǎn)生的壓降越小越好，可以使D極的電壓直接被拉為接近0v，因此首選Vgs=4.5v左右，而不選10v。有些用于信號控制的MOS管如2N7002K，Vgs為10V和4.5V時(shí)產(chǎn)生的壓降差不多，可以根據情況選擇10v或者4.5v左右的導通電壓。因此對信號控制來(lái)說(shuō)，原則上是選擇導通時(shí)產(chǎn)生的壓降越小越好。

那么對于使用在電源控制方面，既需要電壓也需要電流的大功率MOS管來(lái)說(shuō)，就需要完全導通，那么導通電壓是多少呢？我們再來(lái)看一個(gè)大功率N溝道MOS管AO1428A，如下圖

從圖中可以看出Vgs為10v和4.5v時(shí)，Id為12.4A，都達到最大，都可完全導通。但10v比4.5v的導通電阻小，產(chǎn)生壓降?。ù蠹s差0.7v），并且10v的開(kāi)關(guān)速度快，損失的能量少，開(kāi)關(guān)效率高，所以首選10v。至于P溝道MOS管，跟N溝道的差不多，這時(shí)不做解析了，它用在信號控制方面的很少，主要是用在電源控制如AO4425，G極電壓必須低于S極10V以上，也就是Vgs《-10v，才能完全導通（Rds= 9 mΩ左右）。如下圖

總結：信號控制使用的MOS管，只要電壓，不需要電流，要求導通時(shí)產(chǎn)生的壓降Vds最小，首選Vgs=4.5v左右，對信號控制來(lái)說(shuō)，原則上是選擇導通時(shí)產(chǎn)生的壓降越小越好。電源控制使用的MOS管，既要電壓也要電流，要求完全導通，要求Id最大，產(chǎn)生的壓降Vds最小，首選Vgs=10v左右。

如何把Mos管導通時(shí)電壓降控制在最??？

在用FDS6890A型號N-mos，用作開(kāi)關(guān)，漏極加10伏電壓，柵極加0到5伏方波控制導通閉合，但是測量源極電壓時(shí)候只有0到8伏的方波輸出。

怎么提高M(jìn)os管效率，或者是用一些高級點(diǎn)的電路？

首先要了解MOS管的工作原理。MOS管與一般晶體三極管是不同的。它是電壓控制元件，它是柵極電壓控制的是S-D極間的體電阻。在柵極施加不同的電壓，源-漏極之間就會(huì )有電阻的變化，這就是MOS管的工作原理。柵極電壓對應在器件S-D極的電阻變化曲線(xiàn)可以查器件手冊。根據MOS管的這個(gè)特性，既可以選擇將MOS管作放大器工作，也可以選擇作為開(kāi)關(guān)工作。

根據以上原理分析，在你的問(wèn)題中，如果要使MOS管作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，就要對柵極施加足夠的電壓，它才能充分起到開(kāi)關(guān)作用。你在柵極施加的電壓只有5V（對于單管而言我認為柵極電壓低了，一般應該在12V左右比較好），這個(gè)電壓下MOS管的夾斷電阻依然比較大，所以輸出只有8V。

MOS管導通條件

導通與截止由柵源電壓來(lái)控制，對于增強型場(chǎng)效應管來(lái)說(shuō)，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就可以了。但是，場(chǎng)效應管分為增強型（常開(kāi)型）和耗盡型（常閉型），增強型的管子是需要加電壓才能導通的，而耗盡型管子本來(lái)就處于導通狀態(tài)，加柵源電壓是為了使其截止。

開(kāi)關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷，三極管和場(chǎng)效應管工作有三種狀態(tài)：

1、截止；

2、線(xiàn)性放大；

3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）；

使晶體管只工作在1和3狀態(tài)的電路稱(chēng)之為開(kāi)關(guān)電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關(guān)；以晶體管飽和，發(fā)射極和集電極之間的電壓差接近于0V時(shí)表示開(kāi)。開(kāi)關(guān)電路用于數字電路時(shí)，輸出電位接近0V時(shí)表示0，輸出電位接近電源電壓時(shí)表示1。所以數字集成電路內部的晶體管都工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。 場(chǎng)效應管按溝道分可分為Ｎ溝道和Ｐ溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。

按材料分可分為結型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管，并且大多采用增強型的Ｎ溝道，其次是增強型的Ｐ溝道，結型管和耗盡型管幾乎不用。場(chǎng)效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管.由多數載流子參與導電,也稱(chēng)為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件.場(chǎng)效應管是利用多數載流子導電,所以稱(chēng)之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱(chēng)之為雙極型器件.有些場(chǎng)效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。

MOS管導通過(guò)程

導通時(shí)序可分為to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四個(gè)時(shí)間段，這四個(gè)時(shí)間段有不同的等效電路。

1）t0-t1：C GS1 開(kāi)始充電，柵極電壓還沒(méi)有到達V GS（th），導電溝道沒(méi)有形成，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài)。

2）[t1-t2]區間, GS間電壓到達Vgs（th），DS間導電溝道開(kāi)始形成，MOSFET開(kāi)啟，DS電流增加到ID, Cgs2 迅速充電，Vgs由Vgs（th）指數增長(cháng)到Va。

3）[t2-t3]區間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應，Cgd電容大大增加,柵極電流持續流過(guò)，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態(tài)，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小。

4）[t3-t4]區間,至t3時(shí)刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時(shí)的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動(dòng)電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時(shí)刻為止.此時(shí)C gs 電容電壓已達穩態(tài),DS間電壓也達最小，MOSFET完全開(kāi)啟。

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