MOS管特性,MOSFET

MOS管概述

MOS管特性及MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。

MOS管特性-導通特性

導通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì )導通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅動(dòng)），只需柵極電壓抵達4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì )導通，適宜用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅動(dòng)）。但是，固然PMOS可以很便當地用作高端驅動(dòng)，但由于導通電阻大，價(jià)錢(qián)貴，交流種類(lèi)少等緣由，在高端驅動(dòng)中，通常還是運用NMOS。

MOS管特性之15個(gè)為什么？

（一）

為什么MOSFET的飽和區跨導大于線(xiàn)性區的跨導？

【答】飽和區與線(xiàn)性區都是出現了溝道的狀態(tài)，但是它們的根本差別就在于溝道是否被夾斷。電壓對溝道寬度的影響是：柵極電壓將使溝道寬度均勻地發(fā)生變化，源-漏電壓將使溝道寬度不均勻地發(fā)生變化（則會(huì )導致溝道首先在漏極端夾斷）。

在線(xiàn)性區時(shí)，由于源-漏電壓較低，則整個(gè)溝道的寬度從頭到尾變化不大，這時(shí)柵極電壓控制溝道導電的能力相對地較差一些，于是跨導較小。同時(shí)，隨著(zhù)源-漏電壓的增大，溝道寬度的變化增大，使得漏端處的溝道寬度變小，則柵極電壓控制溝道導電的能力增強，跨導增大。

而在飽和區時(shí)，源-漏電壓較高，溝道夾斷，即在漏極端處的溝道寬度為0，于是柵極電壓控制溝道導電的能力很強（微小的柵極電壓即可控制溝道的導通與截止），所以這時(shí)的跨導很大。因此，飽和區跨導大于線(xiàn)性區跨導。

可見(jiàn)，溝道越是接近夾斷，柵極的控制能力就越強，則跨導也就越大；溝道完全夾斷后，電流飽和，則跨導達到最大——飽和跨導。

（二）

為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著(zhù)半導體襯底摻雜濃度的提高而增大？而隨著(zhù)溫度的升高而下降？

【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導體表面產(chǎn)生反型層（導電溝道）所需要加的柵極電壓。對于n溝道E-MOSFET，當柵電壓使得p型半導體表面能帶向下彎曲到表面勢ψs≥2ψB時(shí)，即可認為半導體表面強反型，因為這時(shí)反型層中的少數載流子（電子）濃度就等于體內的多數載流子濃度（～摻雜濃度）；這里的ψB是半導體Fermi勢，即半導體禁帶中央與Fermi能級之差。閾值電壓VT包含有三個(gè)部分的電壓（不考慮襯偏電壓時(shí)）：柵氧化層上的電壓降Vox；半導體表面附近的電壓降2ΨB：抵消MOS系統中各種電荷影響的電壓降——平帶電壓VF。

在閾值電壓的表示式中，與摻雜濃度和溫度有關(guān)的因素主要是半導體Fermi勢ψB。 當p型半導體襯底的摻雜濃度NA提高時(shí)，半導體Fermi能級趨向于價(jià)帶頂變化，則半導體Fermi勢ψB增大，從而就使得更加難以達到ψs≥2ψB的反型層產(chǎn)生條件，所以閾值電壓增大。

當溫度T升高時(shí)，半導體Fermi能級將趨向于禁帶中央變化，則半導體Fermi勢ψB減小，從而導致更加容易達到ψs≥2ψB的反型層產(chǎn)生條件，所以閾值電壓降低。

（三）

為什么E-MOSFET的飽和源-漏電流與飽和電壓之間具有平方的關(guān)系？

【答】增強型MOSFET（E-MOSFET）的飽和源-漏電流表示式為

飽和電壓(VGS-VT)就是溝道夾斷時(shí)的源-漏電壓。在MOSFET的轉移特性（IDsat～VGS）曲線(xiàn)上，E-MOSFET的飽和源-漏電流IDsat與飽和電壓(VGS-VT)的關(guān)系即呈現為拋物線(xiàn)。導致出現這種平方關(guān)系的原因有二：

溝道寬度越大，飽和源-漏電流越大，飽和電壓也就越高；

電流飽和就對應于溝道夾斷，而夾斷區即為耗盡層，其寬度與電壓之間存在著(zhù)平方根的關(guān)系，這就導致以上的平方結果。正因為MOSFET具有如此平方的電流-電壓關(guān)系，所以常稱(chēng)其為平方率器件。

（四）

為什么一般MOSFET的飽和源-漏電流具有負的溫度系數？

【答】MOSFET的飽和源-漏電流可表示為

在此關(guān)系中，因為材料參數和器件結構參數均與溫度的關(guān)系不大，則與溫度有關(guān)的因素主要有二：閾值電壓VT和載流子遷移率μn。

由于MOSFET的閾值電壓VT具有負的溫度系數，所以，隨著(zhù)溫度的升高，就使得MOSFET的輸出飽和源-漏電流隨之增大，即導致電流具有正的溫度系數。

而載流子遷移率μn，在室溫附近一般將隨著(zhù)溫度的升高而下降（主要是晶格振動(dòng)散射起作用）：

式中To=300K，m=1.5～2.0。遷移率的這種溫度特性即導致MOSFET的增益因子

也具有負的溫度系數。從而，隨著(zhù)溫度的升高，遷移率的下降就會(huì )導致MOSFET的輸出源-漏電流減小，即電流具有負的溫度系數。

綜合以上閾值電壓和載流子遷移率這兩種因素的不同影響，則根據MOSFET飽和電流的表示式即可得知：

當飽和電壓(VGS-VT)較大（即VGS>>VT）時(shí)，閾值電壓溫度關(guān)系的影響可以忽略，則輸出源-漏電流的溫度特性將主要決定于載流子遷移率的溫度關(guān)系，即具有負的溫度系數（溫度升高，IDS下降）；當飽和電壓(VGS-VT)較?。碫GS～VT）時(shí)，則輸出源-漏電流的溫度特性將主要決定于閾值電壓的溫度關(guān)系，從而具有正的溫度系數（溫度升高，IDS也增大）。

而對于一般的MOSFET，為了獲得較大的跨導，往往把飽和電壓(VGS-VT)選取得較大，因此可以不考慮閾值電壓的影響，于是飽和源-漏電流通常都具有負的溫度系數。也因此，一般的MOSFET都具有一定的自我保護的功能，則可以把多個(gè)管芯直接并聯(lián)起來(lái)，也不會(huì )出現因電流分配不均勻而引起的失效；利用這種并聯(lián)管芯的辦法即可方便地達到增大器件輸出電流的目的（實(shí)際上，功率MOSFET就是采用這種措施來(lái)實(shí)現大電流的）。

（五）

為什么MOSFET的飽和跨導一般與飽和電壓成正比？但為什么有時(shí)又與飽和電壓成反比？

【答】在源-漏電壓VDS一定時(shí)：由E-MOSFET的飽和電流IDsat對柵電壓的微分，即可得到飽和跨導gmsat與飽和電壓(VGS-VT)成正比：

這種正比關(guān)系的得來(lái)，是由于飽和電壓越高，就意味著(zhù)溝道越不容易夾斷，則導電溝道厚度必然較大，因此在同樣柵極電壓下的輸出源-漏電流就越大，從而跨導也就越大。

在飽和電流IDsat一定時(shí)：飽和跨導gmsat卻與飽和電壓(VGS-VT)成反比：

這是由于飽和電壓越高，就意味著(zhù)溝道越難以?shī)A斷，則柵極的控制能力就越小，即跨導越小。

總之，在源-漏電壓一定時(shí)，飽和跨導與飽和電壓成正比，而在源-漏電流一定時(shí)，飽和跨導與飽和電壓成反比。

這種相反的比例關(guān)系，在其他場(chǎng)合也存在著(zhù)，例如功耗P與電阻R的關(guān)系：當電流一定時(shí)，功耗與電阻成正比（P=IV=I2R）；當電壓一定時(shí)，功耗與電阻成反比（P=IV=V2/R）。

（六）

為什么MOSFET的線(xiàn)性區源-漏電導等于飽和區的跨導（柵極跨導）？

【答】MOSFET的線(xiàn)性區源-漏電導gdlin和飽和區的柵極跨導gmsat，都是表征電壓對溝道導電、即對源-漏電流控制能力大小的性能參數。

在線(xiàn)性區時(shí)，溝道未夾斷，但源-漏電壓將使溝道寬度不均勻；這時(shí)源-漏電壓的變化，源-漏電導gdlin即表征著(zhù)在溝道未夾斷情況下、源-漏電壓對源-漏電流的控制能力，這種控制就是通過(guò)溝道寬度發(fā)生不均勻變化而起作用的。

而飽和區的柵極跨導——飽和跨導gmsat是表征著(zhù)在溝道夾斷情況下、柵-源電壓對源-漏電流的控制能力，這時(shí)剩余溝道的寬度已經(jīng)是不均勻的，則這種控制也相當于是通過(guò)溝道寬度發(fā)生不均勻變化而起作用的，因此這時(shí)的柵極跨導就等效于線(xiàn)性區源-漏電導：

（七）

為什么在E-MOSFET的柵-漏轉移特性上，隨著(zhù)柵-源電壓的增大，首先出現的是飽和區電流、然后才是線(xiàn)性區電流？

【答】E-MOSFET的柵-漏轉移特性如圖1所示。在柵-源電壓VGS小于閾值電壓VT時(shí)，器件截止（沒(méi)有溝道），源-漏電流電流很?。ǚQ(chēng)為亞閾電流）。

在VGS>VT時(shí)，出現溝道，但如果源-漏電壓VDS=0，則不會(huì )產(chǎn)生電流；只有在VGS>VT和VDS>0時(shí)，才會(huì )產(chǎn)生電流，這時(shí)必然有VDS >(VGS-VT)，因此MOSFET處于溝道夾斷的飽和狀態(tài)，于是源-漏電流隨柵-源電壓而平方地上升。相應地，飽和跨導隨柵-源電壓而線(xiàn)性地增大，這是由于飽和跨導與飽和電壓(VGS-VT)成正比的緣故。

而當柵-源電壓進(jìn)一步增大，使得VDS<(VGS-VT)時(shí)，則MOSFET又將轉變?yōu)闇系牢磰A斷的線(xiàn)性工作狀態(tài)，于是源-漏電流隨柵-源電壓而線(xiàn)性地增大。這時(shí)，跨導不再變化（與柵電壓無(wú)關(guān)）。

（八）

為什么MOSFET的電流放大系數截止頻率fT與跨導gm成正比？

【答】MOSFET的fT就是輸出電流隨著(zhù)頻率的升高而下降到等于輸入電流時(shí)的頻率。器件的跨導gm越大，輸出的電流就越大，則輸出電流隨頻率的下降也就越慢，從而截止頻率就越大，即fT與gm有正比關(guān)系：

由于fT與gm的正比關(guān)系，就使得fT與飽和電壓（VGS-VT）也有正比關(guān)系，從而高頻率就要求較大的飽和電壓。

（九）

IGBT和MCT都是MOS柵極控制的功率場(chǎng)效應晶體管，為什么說(shuō)它們是兩種完全不同的器件？

【答】IGBT（絕緣柵雙極型場(chǎng)效應晶體管）和MCT（MOS控制晶閘管）的共同點(diǎn)主要有：

都是MOS柵極控制的器件，則具有功率場(chǎng)效應晶體管的優(yōu)點(diǎn)；

在結構上，其中都存在著(zhù)四層、三結的晶閘管結構，因此在一定條件下會(huì )出現陽(yáng)極電流閂鎖效應；它們都可以采用多個(gè)元胞并聯(lián)的結構，因此可以獲得很大的工作電流；它們都是有兩種載流子參與工作的器件，因此都是雙極型的場(chǎng)效應晶體管，導通電阻低，但開(kāi)關(guān)速度也相對地要比MOSFET的低。

IGBT和MCT的最大不同點(diǎn)就在于它們的工作狀態(tài)和性質(zhì)不相同，因此說(shuō)它們是兩種完全不同的器件：

IGBT的工作電流主要是通過(guò)MOS溝道的電流，而其中的晶閘管電流是需要極力避免的（IGBT的最大工作電流——擎住電流就是其中晶閘管不導通時(shí)的電流），因此從本質(zhì)上來(lái)看，IGBT基本上是一種MOSFET，因此IGBT具有MOS器件的許多優(yōu)點(diǎn)，例如較強的柵極的控制能力和較低的驅動(dòng)功率（因為有很大的輸入電阻和較小的輸入電容之故）。

而MCT與IGBT的恰恰相反，它的工作電流主要是晶閘管電流，至于MOS溝道的電流，則主要是起著(zhù)觸發(fā)晶閘管導通或者關(guān)斷的作用，不是MCT的主要工作電流，因此從本質(zhì)上來(lái)看，MCT基本上是一種晶閘管——雙極型器件，從而MCT具有導通電阻很低、耐壓很高、功率容量很大的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT雖然在本質(zhì)上是一種MOS器件，但又不同于一般的MOSFET，因為IGBT在導通工作時(shí)，有少數載流子注入到高阻的耐壓層（漂移區），可以產(chǎn)生電導調制，則它的導通電阻較小，增大了器件的電流容量（電流密度要比VDMOSFET的高2～3倍）；同時(shí)由于高阻耐壓層的引入而提高了工作電壓。因此IGBT的功率容量很大。只是IGBT的開(kāi)關(guān)速度，由于少數載流子的引入而相應地有所降低。

（十）

為什么提高M(jìn)OSFET的頻率與提高增益之間存在著(zhù)矛盾？

【答】MOSFET的高頻率要求它具有較大的跨導，而在源-漏電壓一定的情況下，較大的跨導又要求它具有較大的飽和電壓（VGS-VT），所以高頻率也就要求有較大的飽和電壓。

因為MOSFET的電壓增益是在源-漏電流一定的情況下、輸出電壓VDS對柵-源電壓VGS的微分，則飽和狀態(tài)的電壓增益Kvsat將要求器件具有較小的飽和電壓（VGS-VT）：

這是由于在IDsat一定時(shí)，飽和電壓越低，飽和跨導就越大，故Kvsat也就越大。

可見(jiàn)，提高頻率與增大電壓增益，在對于器件飽和電壓的要求上存在著(zhù)矛盾。因此，在工作電流IDsat一定時(shí)，為了提高電壓增益，就應該減小(VGS-VT)和增大溝道長(cháng)度L。這種考慮對于高增益MOSFET具有重要的意義；但是這種減小(VGS-VT)的考慮卻對于提高截止頻率不利。

（十一）

為什么E-MOSFET的柵-源短接而構成的MOS二極管存在著(zhù)“閾值損失”？

【答】這種集成MOS二極管的連接方式及其伏安特性如圖2所示。因為柵極與漏極短接，則VGS=VDS。因此，當電壓較?。╒GS=VDS(VGS－VT)關(guān)系，于是出現了溝道、但總是被夾斷的，所以器件處于飽和狀態(tài)，輸出源-漏電流最大、并且飽和，為恒流源。

由于VGS=VDS，所以這種二極管的輸出伏安特性將與轉移特性完全一致。因為MOSFET的飽和輸出電流IDsat與飽和電壓(VGS－VT)之間有平方關(guān)系，所以該二極管在VGS=VDS≥VT時(shí)的輸出伏安特性為拋物線(xiàn)關(guān)系，并且這也就是其轉移特性的關(guān)系。

所謂閾值損失，例如在門(mén)電路中，是輸出高電平要比電源電壓低一個(gè)閾值電壓大小的一種現象。由E型,柵-漏短接的MOS二極管的伏安特性可以見(jiàn)到，當其輸出源-漏電流IDS降低到0時(shí)，其源-漏電壓VDS也相應地降低到VT。這就意味著(zhù)，這種二極管的輸出電壓最低只能下降到VT，而不能降低到0。這種“有電壓、而沒(méi)有電流”的性質(zhì)，對于用作為有源負載的這種集成MOS二極管而言，就必將會(huì )造成閾值損失。

（十二）

為什么在MOSFET中存在有BJT的作用？這種作用有何危害？

【答】對于常規的MOSFET：如圖3（a）所示，源區、漏區和p襯底即構成了一個(gè)npn寄生晶體管。當溝道中的電場(chǎng)較強時(shí)，在夾斷區附近的電子即將獲得很大的能量而成為熱電子，然后這些熱電子通過(guò)與價(jià)電子的碰撞、電離，就會(huì )形成一股流向襯底的空穴電流Ib；該過(guò)襯底電流就是寄生晶體管的基極電流，在熱電子效應較嚴重、襯底電流較大時(shí)，即可使寄生晶體管導通，從而破壞了MOSFET的性能。這種熱電子效應的不良影響往往是較短溝道MOSFET的一種重要失效機理。

對于CMOS器件：在CMOS器件的芯片中，存在著(zhù)npnp的四層結構——晶閘管。當其中的BJT因為熱電子效應而導通時(shí)，即可發(fā)生所謂“閂鎖效應”、而導致器件失效。

對于VDMOSFET：觀(guān)察圖3（b）中的結構，即可見(jiàn)到，當器件正向導通時(shí)，其中存在一個(gè)工作于放大狀態(tài)的寄生n-p-n晶體管（n+源區是發(fā)射區，n-外延層是集電區，p溝道是基區）。該寄生晶體管的可能導電通道是與MOSFET的ID相并聯(lián)的，故在VDMOSFET工作時(shí)，必須要注意防止寄生晶體管導通；否則，寄生晶體管的導通就可能引起二次擊穿，使得功率MOSFET完全失去功能。

為了避免VDMOSFET在正向工作時(shí)、其中寄生n-p-n晶體管的導通，可以設法使寄生晶體管的電流放大系數變得很小、甚至減至為0——采用“陰極短路技術(shù)”，即把寄生晶體管的發(fā)射極與基極短接起來(lái)，工藝上就通過(guò)把發(fā)射區（源極區）的金屬電極延伸到溝道體區的表面上來(lái)實(shí)現。因為這種陰極短路結構截斷了發(fā)射極注入載流子的功能，所以能夠防止寄生晶體管的導通。

對于VDMOSFET，在采用了陰極短路結構之后，實(shí)際上又恰恰在器件內部形成了一個(gè)p-n-n+二極管，這個(gè)二極管與VDMOSFET是反向并聯(lián)的，這也就順便地在VDMOSFET中設置了一個(gè)阻尼二極管（續流二極管），該二極管對于泄放反向電動(dòng)勢、防止主體晶體管的擊穿具有重要作用。

（十三）

為什么E-MOSFET的源-漏電流在溝道夾斷之后變得更大、并且是飽和的（即與源-漏電壓無(wú)關(guān)）？

【答】E-MOSFET的溝道夾斷是指柵極電壓大于閾值電壓、出現了溝道之后，源-漏電壓使得溝道在漏極端夾斷的一種狀態(tài)。實(shí)際上，溝道在一端夾斷并不等于完全沒(méi)有溝道。當柵電壓小于閾值電壓時(shí)，則完全沒(méi)有溝道，這是不導電的狀態(tài)——截止狀態(tài)。而溝道的夾斷區由于是耗盡區，增加的源-漏電壓也主要是降落在夾斷區，則夾斷區中存在很強的電場(chǎng)，只要有載流子到達夾斷區的邊緣，即可被電場(chǎng)拉過(guò)、從漏極輸出，因此夾斷區不但不阻止載流子通過(guò)，而相反地卻能夠很好地導電，所以有溝道、并且溝道在一端夾斷的狀態(tài)，是一種很好的導電狀態(tài)，則溝道夾斷之后的輸出源-漏電流最大。

E-MOSFET的溝道在漏極端夾斷以后，由于夾斷區基本上是耗盡區，則再進(jìn)一步增加的源-漏電壓，即將主要是降落在夾斷區，這就使得未被夾斷的溝道——剩余溝道的長(cháng)度基本上保持不變；而在溝道夾斷之后的源-漏電流主要是決定于剩余溝道的長(cháng)度，所以這時(shí)的源-漏電流也就基本上不隨源-漏電壓而變化——輸出電流飽和。

（十四）

為什么短溝道E-MOSFET的飽和源-漏電流并不完全飽和？

【答】對于短溝道MOSFET，引起輸出源-漏電流飽和的原因基本上有兩種：一種是溝道夾斷所導致的電流飽和；另一種是速度飽和所導致的電流飽和。

對于溝道夾斷的飽和，因為夾斷區的長(cháng)度會(huì )隨著(zhù)其上電壓的增大而有所增大，則使得剩余溝道的長(cháng)度也將隨著(zhù)源-漏電壓而減短，從而就會(huì )引起源-漏電流相應地隨著(zhù)源-漏電壓而有所增大——輸出電流不完全飽和。不過(guò)，這種電流不飽的程度與溝道長(cháng)度有關(guān)：對于長(cháng)溝道MOSFET，這種夾斷區長(cháng)度隨源-漏電壓的變化量，相對于整個(gè)溝道長(cháng)度而言，可以忽略，所以這時(shí)溝道夾斷之后的源-漏電流近似為“飽和”的；但是對于短溝道MOSFET，這種夾斷區長(cháng)度隨源-漏電壓的變化量，相對于整個(gè)溝道長(cháng)度而言，不能忽略，所以溝道夾斷之后的源-漏電流將會(huì )明顯地隨著(zhù)源-漏電壓的增大而增加——不飽和。

對于速度飽和所引起的電流飽和情況，一般說(shuō)來(lái)，當電場(chǎng)很強、載流子速度飽和之后，再進(jìn)一步增大源-漏電壓，也不會(huì )使電流增大。因此，這時(shí)的飽和電流原則上是與源-漏電壓無(wú)關(guān)的。

對于短溝道MOSFET，還有一個(gè)導致電流不飽和的重要原因，即所謂DIBL（漏極感應源端勢壘降低）效應。因為源區與溝道之間總是存在一個(gè)高低結所造成的勢壘，當源-漏電壓越高，就將使得該勢壘越低，則通過(guò)溝道的源-漏電流越大，因此輸出電流不會(huì )飽和。

總之，導致短溝道MOSFET電流不飽和的因素主要有溝道長(cháng)度調制效應和DIBL效應。

（十五）

為什么在VDMOSFET中存在有JFET的作用？有何不良影響？

【答】如圖4所示，源-漏電流是從芯片表面向下流動(dòng)的，并在電流通路的兩側是pn結，因此這種電流輸運的過(guò)程，從工作原理上來(lái)看，就相當于是一個(gè)寄生JFET。從而可以把VDMOSFET等效為一個(gè)MOSFET與一個(gè)寄生JFET的串聯(lián)組合，其中很大部分n-漂移區就相當于是寄生JFET的溝道

由于JFET的輸出交流電阻非常大，同時(shí)也因為較高的源-漏電壓而具有很大的輸出直流電阻，所以就使得VDMOSFET的導通電阻大大增加，因此n-漂移區的厚度和摻雜濃度對整個(gè)器件性能的影響都較大。

為了消除VDMOSFET中寄生JFET的影響，以降低導通電阻，就必須在結構上加以改變，由此發(fā)展出了V形槽柵、U形槽柵和溝槽（Trench）柵等結構的MOSFET。

雖然MCT本質(zhì)上是一種晶閘管，而且MOS柵極可以關(guān)斷陽(yáng)極電流，但MCT又不同于一般的可關(guān)斷晶閘管（GTO）。因為MCT實(shí)際上是一種把單極型的MOSFET與雙極型的晶閘管組合而成的復合型器件，也是一種所謂Bi-MOS器件，所以它具有MOS器件和雙極型器件二者的長(cháng)處：較強的柵極控制能力，較低的驅動(dòng)功率，較高的開(kāi)關(guān)速度，較大功率容量。

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