通常用于較高頻率的整流和續流的產(chǎn)品。 用于電源模塊的輸入部份,頻率不...通常用于較高頻率的整流和續流的產(chǎn)品。 用于電源模塊的輸入部份,頻率不高,不必用快恢復二極管,用普通二極管即可。 ? 相對二極管來(lái)說(shuō),加在其兩端...
KIA半導體場(chǎng)效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。...KIA半導體場(chǎng)效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。由多數載流子參與導電, ? ? ?也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體...
深圳市可易亞半導體專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售半導體電子元器件及IC。主營(yíng):MOSFET、...深圳市可易亞半導體專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售半導體電子元器件及IC。主營(yíng):MOSFET、場(chǎng)效應管、三端穩壓管、快恢復二極管、高、低壓mos管系類(lèi)等產(chǎn)品銷(xiāo)售公司。
來(lái)自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,...來(lái)自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,KAIST)的團隊研發(fā)了一種用于場(chǎng)效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KCB3010A是采用先進(jìn)SGT技術(shù)的N溝道增強型功率MOSFET,先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導通...KCB3010A是采用先進(jìn)SGT技術(shù)的N溝道增強型功率MOSFET,先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導通損耗、提高開(kāi)關(guān)性能和增強雪崩能量,漏源擊穿電壓100V,漏極電流120A,低導通電阻(...
無(wú)線(xiàn)充專(zhuān)用MOS管KCM9860A是一款高壓器件,漏源擊穿電壓600V,漏極電流47A;具有...無(wú)線(xiàn)充專(zhuān)用MOS管KCM9860A是一款高壓器件,漏源擊穿電壓600V,漏極電流47A;具有堅固的高壓終端、指定雪崩能量、與離散快速恢復二極管相當的源極到漏極恢復時(shí)間、二...