mos管規格書(shū)參數詳解-圖文讀懂MOS管規格書(shū)每一個(gè)MOS參數-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-04-02
在了解mos管規格書(shū)參數詳解之前，先來(lái)看看mos管的每一個(gè)參數代表什么及說(shuō)明，mos管除了G、S、D引腳和N溝道mos管和P溝道mos管之外還有很多具體的參數，每個(gè)詳細參數如下：
Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時(shí)，MOS的DS之間的電阻
Id------------------最大DS電流.會(huì )隨溫度的升高而降低
Vgs----------------最大GS電壓.一般為：-40V~+40V
Idm---------------最大脈沖DS電流.會(huì )隨溫度的升高而降低，體現一個(gè)抗沖擊能力，跟脈沖時(shí)間也有關(guān)系
Pd-----------------最大耗散功率
Tj------------------最大工作結溫，通常為150度和175度
Tstg---------------最大存儲溫度
Iar-----------------雪崩電流
Ear---------------重復雪崩擊穿能量
Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss------------DS擊穿電壓
Idss---------------飽和DS電流，uA級的電流
Igss---------------GS驅動(dòng)電流，nA級的電流.
gfs----------------跨導
Qg----------------G總充電電量
Qgs--------------GS充電電量
Qgd-------------GD充電電量
Td(on)---------導通延遲時(shí)間，從有輸入電壓上升到10%開(kāi)始到Vds下降到其幅值90%的時(shí)間
Tr----------------上升時(shí)間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時(shí)間
Td(off)----------關(guān)斷延遲時(shí)間，輸入電壓下降到 90% 開(kāi)始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時(shí) 10% 的時(shí)間
Tf-----------------下降時(shí)間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時(shí)間
Ciss---------------輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss--------------輸出電容，Coss=Cds +Cgd.
Crss---------------反向傳輸電容，Crss=Cgc.
說(shuō)明：MOS管漏極和源極最大耐壓值。
測試條件：在Vgs=0V，柵極和源極不給電壓。
影響：超過(guò)的話(huà)會(huì )讓MOSFET損壞。
說(shuō)明：ID的漏電流。
測試條件：在Vgs=0V，在漏極和源極兩端給48V的電壓。
影響：漏電流越大功耗越大。
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說(shuō)明：柵極漏電流
測試條件：在Vgs=+-20V，在漏極和源極兩端不給電壓。
說(shuō)明：開(kāi)啟電壓
測試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響：低于參考值可能出現不導通現象，設計時(shí)需要考慮范圍值。
說(shuō)明：完全開(kāi)啟，漏極和源極兩端最大過(guò)電流30A，
測試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響：低于參考值可能出現不導通現象，設計時(shí)需要考慮范圍值。
說(shuō)明：導通時(shí)，Vds的內阻
測試條件：在Vgs=10V，通過(guò)12A的電流；Vgs=4.5V，通過(guò)6A的電流，在漏極和源極兩端的內阻。
影響：內阻越小，MOS過(guò)的電流越大，相同電流下，功耗越小。
說(shuō)明：跨導的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs，是柵極電壓對源極電流的控制作用大小，
跨導：
線(xiàn)性壓控電流源的性質(zhì)可表示為方程 I=gV ，其中g(shù)是常數系數。系數g稱(chēng)作跨導（或轉移電導），具有與電導相同的單位。 這個(gè)電路單元通常指放大器。
在MOS管中，跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線(xiàn)上，跨導為曲線(xiàn)的斜率。
說(shuō)明：MOS管體二極管的正向導通壓降
測試條件：在VGS=0V，體二極管正向通過(guò)1A的電流。
說(shuō)明：體二極管可承受最大連續續電流
測試條件：
影響：如果偏小，在設計降額不充裕的系統中或在測試OCP，OLP（逐周期電流限制保護（OCP)，限制最大輸出電流；過(guò)載保護(OLP)，限制最大輸出功率；的過(guò)程中會(huì )引起電流擊穿的風(fēng)險
說(shuō)明：
Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容
Coss=Cds+Cgd 輸出電容
Crss=Cgd（米勒電容）
影響：Ciss：影響到MOS管的開(kāi)關(guān)時(shí)間，Ciss越大，同樣驅動(dòng)能力下，開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間就越慢，開(kāi)關(guān)損壞也就越大。較慢的開(kāi)關(guān)速度對應會(huì )帶來(lái)較好的EMI
Coss和Crss：這兩項參數對MOSFET關(guān)斷時(shí)間略有影響，其中Cgd會(huì )影響到漏極有異常高電壓時(shí)，傳輸到MOSFET柵極電壓能力的大小，對雷擊測試項目有一點(diǎn)的影響。
說(shuō)明：
Qg：柵極總充電電量
Qgs：柵極充電電量
Qgd：柵極充電電量
tD（on）：漏源導通延遲時(shí)間
tr:漏源電路上升時(shí)間
tD（off）：漏源關(guān)斷延遲時(shí)間
tf:漏源電路下降時(shí)間
影響：參數與時(shí)間相互關(guān)聯(lián)的參數，開(kāi)關(guān)速度越快對應的優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)損耗越小，效率高，溫升低，對應的缺點(diǎn)是EMI特性差，MOSFET關(guān)斷尖峰過(guò)高。
1.電路設計的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著(zhù)發(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒(méi)有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱(chēng)的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒(méi)有充分考慮，導致開(kāi)關(guān)阻抗增大。
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