國產(chǎn)高壓MOS管專(zhuān)業(yè)制造-國產(chǎn)高壓MOS管選型表|封裝|價(jià)格-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-03-28
深圳市可易亞半導體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)KIA半導體）.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導體，已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來(lái)自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案，同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。
強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機、充電樁、這類(lèi)新興能源，也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專(zhuān)注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶(hù)提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
專(zhuān)注于功率半導體開(kāi)發(fā)得基礎，在2007年KIA在韓國浦項工科大學(xué)內擁有了專(zhuān)業(yè)合作設計研發(fā)團隊得8英寸VD-MOS晶圓廠(chǎng)。我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列產(chǎn)品，可以提供樣品，以及有多種封裝SOT-89 TO-92、262、263、251、220F、3P等,封裝是與國內一流封裝廠(chǎng)家合作。
KIA半導體包裝展示圖：
（1）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好
（2）場(chǎng)效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大
（3）場(chǎng)效應管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS來(lái)控制ID
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數
（5）場(chǎng)效應管的抗輻射能力強
（6）由于不存在雜亂運動(dòng)的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低
國產(chǎn)高壓MOS管型號表如下：
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KIA6035A |
11 |
350 |
0.38 |
0.48 |
844 |
|
KNX4540A |
6 |
400 |
0.8 |
1 |
490 |
|
KNX6140A |
10 |
400 |
0.35 |
0.5 |
1254 |
|
KIA5N50H |
5 |
500 |
1.25 |
1.5 |
525 |
|
KIA840S |
8 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KIA4750S |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX4850A |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX6450A |
13 |
500 |
0.4 |
0.48 |
2149 |
|
KNX6650A |
15 |
500 |
0.33 |
0.45 |
2148 |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.25 |
0.32 |
2500 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.21 |
0.26 |
2700 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.16 |
0.2 |
3500 |
|
KNX7650A |
25 |
500 |
0.17 |
0.21 |
4280 |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.15 |
0.2 |
4150 |
|
KNX4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
|
KIA5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
|
KNX4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
|
KNX4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
|
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
|
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
|
KNX7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
|
KNX4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
|
KIA7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
|
KNX4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
|
KNX4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
|
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
|
KNX6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
|
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
|
KIA6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
|
KIA7N80H |
7 |
800 |
1.4 |
1.9 |
1300 |
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
0.85 |
1.1 |
2230 |
|
KIA9N90S |
9 |
900 |
1.05 |
1.4 |
2780 |
|
KNL42150A |
2.8 |
1500 |
6.5 |
9 |
1500 |
1.電路設計的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著(zhù)發(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒(méi)有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱(chēng)的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒(méi)有充分考慮，導致開(kāi)關(guān)阻抗增大。
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