車(chē)載功放,mos管

車(chē)載功放

車(chē)載功放，就是車(chē)載影音系統中的音頻功率放大器。功率放大器簡(jiǎn)稱(chēng)功放。

車(chē)載功放的分類(lèi)

功率放大器可以按不同的用途分類(lèi)：

1、有的汽車(chē)功率放大器是專(zhuān)門(mén)為推動(dòng)低音揚聲器設計的，如：健伍KAC—PS401M(14.4V，4歐姆)，最大功率1200W x1。內置次聲濾波器，省去了外接濾波器。

2、帶均衡器的功率放大器，如：索尼XM一604EQX。EQX備有的揚聲器有5段均衡器，可因個(gè)人喜好或不同的車(chē)廂空間調校音色。每一個(gè)EQX系列均有5種頻率供選擇。

3、5聲道功率放大器，如：索尼XM一405EQX、健伍KAC一859等，通常使用2聲道或4聲道功率放大器來(lái)推動(dòng)前后揚聲器。低音揚聲器是用另一只功率放大器推動(dòng)，這樣占用面積太大，而使用5聲道功率放大器，一塊功放就可以解決問(wèn)題。

4、多片X卡功率放大器，如：來(lái)福punch 400.4。獨特的X卡為功率放大器提供了幾乎是無(wú)限多樣的分音選擇：高通、帶通、低通，甚至是超音頻的濾波器。它可以起到以一抵十的作用。

5、電子分音器模塊式功率放大器，如：KICKER ZR360。這些控制模塊是讓你選定哪一種訊號會(huì )到功率放大器及到功率放大器的RCA輸出，選定所需要的頻率及分音點(diǎn)。通過(guò)更換模塊，可以使一個(gè)功率放大器變成多樣化的功率放大器使用。

車(chē)載功放mos管選型

以下是車(chē)載功放mos管選型（需了解更多型號，請聯(lián)系我們）

Part Number	ID（A）	BVDSS（v）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	ciss
					pF
KIA50N06B	50	60	0.0105	0.012	2060
KIA2906A	130	60	0.0055	0.007	3100
KIA75NF75	80	80	0.007	0.009	3110
KNX3306A	80	60	0.007	0.0085	3390
KNX3306B	80	60	0.007	0.008	3080
KNX3206A	110	60	0.0065	0.008	3400

車(chē)載功放mos管廠(chǎng)家

深圳市可易亞半導體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)KIA）.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

KIA現已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來(lái)自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案，同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機、充電樁、這類(lèi)新興能源，也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專(zhuān)注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶(hù)提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場(chǎng)效應管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標，KIA半導體正在持續創(chuàng )新，永不止步！

MOS管功放優(yōu)缺點(diǎn)解析

（一）優(yōu)點(diǎn)

1、MOS 管功放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。以運放的輸出作為OCL 的輸入，到達抑止零點(diǎn)漂移的效果。

2、中音厚，沒(méi)有三極管那么大的交越失真。

電流推進(jìn)級通常由一至二級組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數，常采用二級電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流，這樣本級不會(huì )產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，由于任何狀況下電流推進(jìn)級一直處于放大區，所以電流輸出級也一直處于放大區，因而輸出級同樣不會(huì )產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真和交越失真。

3、MOS管的線(xiàn)性比晶體管好。

（二）缺點(diǎn)

1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞,MOSFET場(chǎng)效應晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運用不久發(fā)現這種功放的牢靠性不高（無(wú)法外電路維護），開(kāi)關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。

90年代初，MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破，呈現了一種高速MOSFET大功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應晶體管。西班牙藝格公司（ECLER）經(jīng)多年研討，攻克了非毀壞性維護系統的SPM專(zhuān)利技術(shù)，推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點(diǎn)分離的第3代功放產(chǎn)品，在歐洲市場(chǎng)上取得了認可，并逐漸在世界上得到了應用。

第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放，但低頻的溫和度比晶體管功放差一些，此外MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞。

2、開(kāi)啟電壓太高。

3、偏流開(kāi)很大，還是有一定的交越失真,沒(méi)交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類(lèi)輸出功耗。

4、MOS管不好配對在同一批次管，相對來(lái)說(shuō)要好配對一點(diǎn)。

5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽(tīng)出所謂電子管音色有一個(gè)簡(jiǎn)單方法，把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。

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