P溝道MOS管

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(cháng)，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路（見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路）出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

N溝道MOS管

NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

MOS管集成電路及特點(diǎn)

制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規模集成電路。N溝道MOS管組成的NMOS電路、P溝道MOS管組成的PMOS電路及由N溝道MOS和P溝道MOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。P溝道MOS門(mén)電路與N溝道MOS電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。數字電路中MOS集成電路所使用的MOS管均為增強型管子，負載常用MOS管作為有源負載，這樣不僅節省了硅片面積，而且簡(jiǎn)化了工藝利于大規模集成。

MOS管P溝道N溝道區分

N溝道MOS晶體管

金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)結構的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS集成電路。由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴散區構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時(shí)，就有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

N溝道MOS集成電路是N溝道MOS電路，NMOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS與NMOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負載問(wèn)題。N溝道MOS集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。CMOS集成電路只要選用與N溝道MOS集成電路相同的電源，就可與N溝道MOS集成電路直接連接。不過(guò)，從N溝道MOS到CMOS直接連接時(shí)，由于N溝道MOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)（電位）上拉電阻R，R的取值一般選用2～100KΩ。

N溝道MOS管的結構

在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。在襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構成了一個(gè)N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠(chǎng)前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。圖(a)、(b)分別是它的結構示意圖和代表符號。代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。P溝道增強型MOS管的箭頭方向與上述相反，如圖(c)所示。

N溝道增強型MOS管的工作原理

（1）vGS對iD及溝道的控制作用

① vGS=0 的情況

從圖1(a)可以看出，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個(gè)PN結處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒(méi)有導電溝道，所以這時(shí)漏極電流iD≈0。

② vGS>0 的情況

若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)。電場(chǎng)方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動(dòng)的受主離子(負離子)，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面。

（2）導電溝道的形成

當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導電溝道出現，如圖(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類(lèi)型與P襯底相反，故又稱(chēng)為反型層，如圖(c)所示。vGS越大，作用于半導體表面的電場(chǎng)就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。

開(kāi)始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓，用VT表示。

上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能形成導電溝道，管子處于截止狀態(tài)。只有當vGS≥VT時(shí)，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導電溝道的MOS管稱(chēng)為增強型MOS管。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生。

vDS對iD的影響

如圖(a)所示，當vGS>VT且為一確定值時(shí)，漏——源電壓vDS對導電溝道及電流iD的影響與結型場(chǎng)效應管相似。漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓最大，這里溝道最厚，而漏極一端電壓最小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道最薄。但當vDS較?。╲DS隨著(zhù)vDS的增大，靠近漏極的溝道越來(lái)越薄，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時(shí)，溝道在漏極一端出現預夾斷，如圖2(b)所示。再繼續增大vDS，夾斷點(diǎn)將向源極方向移動(dòng)，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進(jìn)入飽和區，iD幾乎僅由vGS決定。

N溝道增強型NMOS管的特性曲線(xiàn)、電流方程及參數

（1）特性曲線(xiàn)和電流方程

1、輸出特性曲線(xiàn)

N溝道增強型NMOS管的輸出特性曲線(xiàn)如圖1(a)所示。與結型場(chǎng)效應管一樣,其輸出特性曲線(xiàn)也可分為可變電阻區、飽和區、截止區和擊穿區幾部分。

2、轉移特性曲線(xiàn)

轉移特性曲線(xiàn)如圖1(b)所示,由于場(chǎng)效應管作放大器件使用時(shí)是工作在飽和區(恒流區),此時(shí)iD幾乎不隨vDS而變化,即不同的vDS所對應的轉移特性曲線(xiàn)幾乎是重合的,所以可用vDS大于某一數值(vDS＞vGS-VT)后的一條轉移特性曲線(xiàn)代替飽和區的所有轉移特性曲線(xiàn)。

3、iD與vGS的近似關(guān)系

與結型場(chǎng)效應管相類(lèi)似。在飽和區內,iD與vGS的近似關(guān)系式為

式中IDO是vGS=2VT時(shí)的漏極電流iD。

（2）參數

MOS管的主要參數與結型場(chǎng)效應管基本相同，只是增強型NMOS管中不用夾斷電壓VP ，而用開(kāi)啟電壓VT表征管子的特性。

1、結構：

N溝道耗盡型NMOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。

2、區別：

耗盡型MOS管在vGS=0時(shí)，漏——源極間已有導電溝道產(chǎn)生，而增強型NMOS管要在vGS≥VT時(shí)才出現導電溝道。

3、原因：

制造N溝道耗盡型MOS管時(shí)，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負離子)，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時(shí)，在這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下，漏——源極間的P型襯底表面也能感應生成N溝道(稱(chēng)為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD。如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場(chǎng)將在溝道中吸引來(lái)更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，iD增大。反之vGS為負時(shí)，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，iD減小。當vGS負向增加到某一數值時(shí)，導電溝道消失，iD趨于零，管子截止，故稱(chēng)為耗盡型。溝道消失時(shí)的柵－源電壓稱(chēng)為夾斷電壓，仍用VP表示。與N溝道結型場(chǎng)效應管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值，但是，前者只能在vGS<0的情況下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP。

4、電流方程：

在飽和區內，耗盡型NMOS管的電流方程與結型場(chǎng)效應管的電流方程相同，即：

各種場(chǎng)效應管特性比較

P溝MOS晶體管

金屬氧化物半導體場(chǎng)效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)，P溝道硅MOS場(chǎng)效應晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道增強型場(chǎng)效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應晶體管。統稱(chēng)為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(cháng)，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿(mǎn)足PMOS對輸入電平的要求。MOS場(chǎng)效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規模大的集成電路。

各種場(chǎng)效應管特性比較

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