開(kāi)關(guān)電源mos管型號

開(kāi)關(guān)電源概述

開(kāi)關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。其功能是將一個(gè)位準的電壓，透過(guò)不同形式的架構轉換為用戶(hù)端所需求的電壓或電流。開(kāi)關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設備，例如個(gè)人電腦，而開(kāi)關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉換。

開(kāi)關(guān)電源mos管型號原廠(chǎng)

開(kāi)關(guān)電源mos管型號供應商概述，深圳市可易亞半導體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)KIA半導體）.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

KIA半導體，已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來(lái)自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案，同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。

強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機、充電樁、這類(lèi)新興能源，也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專(zhuān)注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶(hù)提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

開(kāi)關(guān)電源mos管型號表大全

以下是KIA半導體開(kāi)關(guān)電源mos管型號表大全：

5種常用開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅動(dòng)電路解析

在使用MOSFET設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì )考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅動(dòng)電路，驅動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì )影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。

當電源IC與MOS管選定之后， 選擇合適的驅動(dòng)電路來(lái)連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

一個(gè)好的MOSFET驅動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：

(1)開(kāi)關(guān)管開(kāi)通瞬時(shí)，驅動(dòng)電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻振蕩。

(2)開(kāi)關(guān)導通期間驅動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。

(3)關(guān)斷瞬間驅動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。

(4)驅動(dòng)電路結構簡(jiǎn)單可靠、損耗小。

(5)根據情況施加隔離。

（一）電源IC直接驅動(dòng)MOSFET

圖1 IC直接驅動(dòng)MOSFET

電源IC直接驅動(dòng)是我們最常用的驅動(dòng)方式，同時(shí)也是最簡(jiǎn)單的驅動(dòng)方式，使用這種驅動(dòng)方式，應該注意幾個(gè)參數以及這些參數的影響。第一，查看一下電源IC手冊，其最大驅動(dòng)峰值電流，因為不同芯片，驅動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。第二，了解一下MOSFET的寄生電容，如圖 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒(méi)有比較大的驅動(dòng)峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢。如果驅動(dòng)能力不足，上升沿可能出現高頻振蕩，即使把圖 1中Rg減小，也不能解決問(wèn)題! IC驅動(dòng)能力、MOS寄生電容大小、MOS管開(kāi)關(guān)速度等因素，都影響驅動(dòng)電阻阻值的選擇，所以Rg并不能無(wú)限減小。

（二）電源IC驅動(dòng)能力不足時(shí)

如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內部的驅動(dòng)能力又不足時(shí)，需要在驅動(dòng)電路上增強驅動(dòng)能力，常使用圖騰柱電路增加電源IC驅動(dòng)能力，其電路如下圖虛線(xiàn)框所示。

圖2 圖騰柱驅動(dòng)MOS

這種驅動(dòng)電路作用在于，提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓撲增加了導通所需要的時(shí)間，但是減少了關(guān)斷時(shí)間，開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且避免上升沿的高頻振蕩。

（三）驅動(dòng)電路加速MOS管關(guān)斷時(shí)間

圖3 加速MOS關(guān)斷

關(guān)斷瞬間驅動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如圖2所示，其中D1常用的是快恢復二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大，把電源IC給燒掉。

圖4 改進(jìn)型加速MOS關(guān)斷

在第二點(diǎn)介紹的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用。當電源IC的驅動(dòng)能力足夠時(shí)，對圖 2中電路改進(jìn)可以加速MOS管關(guān)斷時(shí)間，得到如圖 4所示電路。用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見(jiàn)的。如果Q1的發(fā)射極沒(méi)有電阻，當PNP三極管導通時(shí)，柵源極間電容短接，達到最短時(shí)間內把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。與圖 3拓撲相比較，還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC，提高了可靠性。

（四）驅動(dòng)電路加速MOS管關(guān)斷時(shí)間

圖5 隔離驅動(dòng)

為了滿(mǎn)足如圖所示高端MOS管的驅動(dòng)，經(jīng)常會(huì )采用變壓器驅動(dòng)，有時(shí)為了滿(mǎn)足安全隔離也使用變壓器驅動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開(kāi)直流，通過(guò)交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。

（五）當源極輸出為高電壓時(shí)的驅動(dòng)

當源極輸出為高電壓的情況時(shí)，我們需要采用偏置電路達到電路工作的目的，既我們以源極為參考點(diǎn)，搭建偏置電路，驅動(dòng)電壓在兩個(gè)電壓之間波動(dòng)，驅動(dòng)電壓偏差由低電壓提供，如下圖

圖6 源極輸出為高電壓時(shí)的驅動(dòng)電路

除了以上驅動(dòng)電路之外，還有很多其它形式的驅動(dòng)電路。對于各種各樣的驅動(dòng)電路并沒(méi)有一種驅動(dòng)電路是最好的，只有結合具體應用，選擇最合適的驅動(dòng)。

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