mos簡(jiǎn)稱(chēng)

mos管工作原理

（以N溝道增強型mos場(chǎng)效應管）它是利用VGS來(lái)控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時(shí)，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著(zhù)柵極電壓的變化而變化。

mos管開(kāi)關(guān)性能

影響開(kāi)關(guān)性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì )在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因為在每次開(kāi)關(guān)時(shí)都要對它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開(kāi)關(guān)過(guò) 程中器件的總損耗，要計算開(kāi)通過(guò)程中的損耗（Eon）和關(guān)閉過(guò)程中的損耗（Eoff）。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達：Psw= （Eon+Eoff）×開(kāi)關(guān)頻率。

而柵極電荷（Qgd）對開(kāi)關(guān)性能的影響最大。場(chǎng)效應管的名字也來(lái)源于它的輸入端（稱(chēng)為gate）通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

mos管導通

MOS管具有很低的導通電阻，消耗能量較低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作為功率開(kāi)關(guān)。但是由于MOS管的寄生電容大，一般情況下NMOS開(kāi)關(guān)管的柵極電容高達幾十皮法。這對于設計高工作頻率DC－DC轉換器開(kāi)關(guān)管驅動(dòng)電路的設計提出了更高的要求。在低電壓ULSI設計中有多種CMOS、BiCMOS采用自舉升壓結構的邏輯電路和作為大容性負載的驅動(dòng)電路。這些電路能夠在低于1V電壓供電條件下正常工作，并且能夠在負載電容1～2pF的條件下工作頻率能夠達到幾十兆甚至上百兆赫茲。本文正是采用了自舉升壓電路，設計了一種具有大負載電容驅動(dòng)能力的，適合于低電壓、高開(kāi)關(guān)頻率升壓型DC－DC轉換器的驅動(dòng)電路。電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設計并經(jīng)過(guò)Hspice仿真驗證，在供電電壓1.5V ，負載電容為60pF時(shí)，工作頻率能夠達到5MHz以上。

mos失效原因

1）雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓，并且超過(guò)達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。

2）SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET安全工作區引起失效，分為Id超出器件規格失效以及Id過(guò)大，損耗過(guò)高器件長(cháng)時(shí)間熱積累而導致的失效。

3）體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。

4）諧振失效：在并聯(lián)使用的過(guò)程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。

5）靜電失效：在秋冬季節，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。

6）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。

mos管注意事項

2、抽取MOS管部件不可以在分子化合物塑料板上滑動(dòng)，應用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用部件。

3、燒焊用的電烙鐵務(wù)必令人滿(mǎn)意接地。

4、在燒焊前應把電路板的電源線(xiàn)與地線(xiàn)短接，待MOS部件燒焊完后再分開(kāi)。

5、MOS部件各管腳的燒焊順著(zhù)次序是漏極、源極、柵極。拆機時(shí)順著(zhù)次序相反。

6、在準許的條件下，MOS場(chǎng)效應管的柵極最好接入盡力照顧二極管。在檢查修理電路時(shí)應注意調查證明原有的盡力照顧二極管是否毀壞。

7、最好是帶防靜電手套兒或穿上防靜電的衣裳再去接觸場(chǎng)效應管。

8、選管時(shí)，要注意實(shí)際電路中各極電流電壓的數字都不可以超過(guò)規格書(shū)中的定額值。

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