MOS管大功率驅動(dòng)電源
信息來(lái)源：本站 日期：2017-04-26
MOS管功率放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數，安全可靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)略等長(cháng)處。
MOS管主驅動(dòng)電路的輸出端與MOS管的柵極電銜接，輸入端接單片機脈寬調制輸入信號。 以運放的輸出作為OCL的輸入，到達克制零點(diǎn)漂移的作用。
MOS管驅動(dòng)電路，驅動(dòng)電路包含MOS管主驅動(dòng)電路和欠壓維護電路。欠壓維護電路銜接在MOS管主驅動(dòng)電路的輸入端，包含對比器、電阻R1、R2和穩壓二極管D2；電阻R2和對比器的輸入端并聯(lián)再與電阻R1串聯(lián)在MOS管主驅動(dòng)電路的驅動(dòng)電源和電源地之間；對比器的輸出端串聯(lián)穩壓二極管D2。
本實(shí)用新型的欠壓維護電路將驅動(dòng)電源電壓經(jīng)電阻分壓后的電壓與設定的基準電壓對比，假如低于基準電壓，欠壓維護驅動(dòng)電路當即堵截MOS管驅動(dòng)電路，有用避免MOS管進(jìn)入線(xiàn)性區所形成的功率器材功率低及易損壞等不良后果。
開(kāi)關(guān)損耗與功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驅動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)燒可以從以下幾個(gè)方面解決：A、不能片面根據導通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管，由于內阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。對于前者，留意不要將負載電壓設置的太高，固然負載電壓高，效率會(huì )高點(diǎn)。如果芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會(huì )引起芯片的發(fā)燒。有的工程師沒(méi)有留意到這個(gè)現象，直接調節sense電阻或者工作頻率達到需要的電流，這樣做可能會(huì )嚴峻影響LED的使用壽命。在均勻電流不變的條件下，只能看著(zhù)光衰了。不管如何降頻沒(méi)有好處，只有壞處，所以一定要解決。
1，用低端電壓和PWM驅動(dòng)高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信號驅動(dòng)高gate電壓需要的MOS管。
3，gate電壓的峰值束縛
4，輸入和輸出的電流束縛
5，通過(guò)運用適合的電阻，可以抵達很低的功耗。
6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過(guò)前置一個(gè)反相器來(lái)處理。
ards---漏源電阻溫度系數
aID---漏極電流溫度系數
Vn---噪聲電壓
η---漏極效率（射頻功率管）
Zo---驅動(dòng)源內阻
VGu---柵襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VGD---柵漏電壓（直流）
VDS(sat)---漏源飽滿(mǎn)電壓
VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
Tstg---貯成溫度
Tc---管殼溫度
Ta---環(huán)境溫度
Tjm---最大容許結溫
Tj---結溫
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數）
POUT---輸出功率
PIN--輸入功率
PDM---漏極最大容許耗散功率
PD---漏極耗散功率
R(th)ja---結環(huán)熱阻
R(th)jc---結殼熱阻
RL---負載電阻（外電路參數）
Rg---柵極外接電阻（外電路參數）
rGS---柵源電阻
rGD---柵漏電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS---漏源電阻
Ls---源極電感
LD---漏極電感
L---負載電感（外電路參數）
Ku---傳輸系數
K---失調電壓溫度系數
gds---漏源電導
ggd---柵漏電導
GPD---共漏極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
Gp---功率增益
gfs---正向跨導
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）
Iu---襯底電流
IDSS2---對管第二管漏源飽滿(mǎn)電流
IDSS1---對管第一管漏源飽滿(mǎn)電流
IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
IF---二極管正向電流
IGP---柵極峰值電流
IGM---柵極脈沖電流
IGSO---漏極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流
IGDO---源極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流
IGR---反向柵電流
IGF---正向柵電流
IG---柵極電流（直流）
IDS(sat)---溝道飽滿(mǎn)電流（漏源飽滿(mǎn)電流）
IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流
IDSM---最大漏源電流
IDS---漏源電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）
ID(on)---通態(tài)漏極電流
dv/dt---電壓上升率（外電路參數）
di/dt---電流上升率（外電路參數）
Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
Ear:重復雪崩擊穿能量
Iar:雪崩電流
Ton:正導游通時(shí)刻.(根本能夠忽略不計).
Qrr :反向恢復充電電量.
Trr :反向恢復時(shí)刻.
VSD :正導游通壓降.
ISM:脈沖最大續流電流(從源極).
IS :接連最大續流電流(從源極).
EAR:重復雪崩擊穿能量.
IAR :雪崩電流.
EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個(gè)極限參數,闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.
1、把連接柵極和源極的電阻移開(kāi)，萬(wàn)用表紅黑筆不變，假如移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大，則MOS管漏電，不變則完好
2、然后一根導線(xiàn)把MOS管的柵極和源極連接起來(lái)，假如指針立刻返回無(wú)限大，則MOS完好。
3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無(wú)限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場(chǎng)，因為電場(chǎng)產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬(wàn)用表指針偏轉，偏轉的角度大，放電性越好。
相關(guān)內容：
大功率mos管驅動(dòng)電路
聯(lián)系方式：鄒先生
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導體工程專(zhuān)輯請搜微信號:“KIA半導體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(cháng)按二維碼識別關(guān)注
