N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?MOS耗盡型的哪個(gè)常用
信息來(lái)源:本站 日期:2017-07-26
耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強型MOSFET有著(zhù)同樣的柵極結構,所不同是,在常態(tài)下,它內部的(導電)溝道是天生的。換言之,常態(tài)下的耗盡型MOSFET是導通的,這一點(diǎn)與JFET相同,所不同的是二者的柵極結構。
耗盡型MOSFET也有N溝道與P溝道兩種,以P溝道較為常見(jiàn)。橫向溝道的耗盡型MOSFET的結構簡(jiǎn)圖如圖1.22所示,也有垂直溝道的產(chǎn)品。P溝道的只需要將結構圖中的“P"與“N”對調即可。
目前市場(chǎng)上只能見(jiàn)到小功率耗盡型MOSFET產(chǎn)品,電壓規格為500V左右,比JFET要高得多
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