国产成人在线视频网站,国产成人精品在视频,国产亚洲欧美日韩国产片,无遮挡又黄又刺激的视频

国产成人在线视频网站,国产成人精品在视频,国产亚洲欧美日韩国产片,无遮挡又黄又刺激的视频

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

雙極型晶體管的直流增益曲線(xiàn)

信息來(lái)源:本站 日期:2017-05-19 

分享到:

對于MOS管雙極型晶體管 ,由于電流增益隨輸出電流的上升急劇下降 ,當輸出電流顯著(zhù)增加時(shí), 其基極電流的增加是無(wú)法接受的 ,所以最大輸出電流受到限制 。圖 9.13 給出了 2N6542 雙極型晶體管 (SA、400V )電流增益與集電極電流的關(guān)系曲線(xiàn) 。


圖 9.13  雙極型晶體管的直流增益曲線(xiàn) 。雙極型晶體管的增益隨著(zhù)輸出電流的增大而減小 ,而MOSFET 管不存在這種情況 ,MOSFET 管最大電流只受結點(diǎn)溫升的限制

對于 MOSFET 管,輸出輸入增益 ( 即跨導 dlctsfdVgs ) 不會(huì )隨輸出電流增加而下降 ,如圖9.14 所示。這樣限制漏極電流的唯一因素就是損耗 ,即 MOSFET 管的最大結點(diǎn)溫度。

圖9.14 不同溫度下 IRF330 的跨導與漏極電流的關(guān)系曲線(xiàn) 。雙極型晶體管的增益隨輸電流的增大而減小 ,而 MOSFET 管不存在這種情況 。MOSFET 管最 大電流只受結點(diǎn)溫升的限制


MOSFET 管最大結點(diǎn)溫度是 150℃。結點(diǎn)、溫度的理想值為 105℃,最高不會(huì )超過(guò) 125℃。為器件載流能力 ,稱(chēng)為器件漏極最大持續電流 。最大持續電流 lct 定義為 ,在最大導通壓降 比如和占空比為 100%時(shí),產(chǎn)生的功率損耗使 MOSFET 管結點(diǎn)溫度上升到最大值 150℃ ( 外殼溫度為 100℃) 時(shí)的漏極電流。因此

式中,Vcts<則是150℃時(shí)最大漏源極間導通壓降:R出為熱阻,單位為℃/W。在開(kāi)關(guān)電源設計中通過(guò)給定的最大尖峰電流來(lái)選擇MOSFET管時(shí),h值不能作為參考值 ,


因為實(shí)際使用中 占空比不會(huì )達到 100%。出于可靠性的考慮,希望結點(diǎn)溫度的設計值為 125℃ 或 105℃ ( 軍用)。但值可以說(shuō)明不同 MOS管在占空比為 100%的工作情況下的相對載流能力。

一般來(lái)說(shuō),輸出功率確定時(shí) ,有兩種方法可以選擇MOSFET 管。首先,根據輸出功率和最小直流輸入電壓 ,計算出等效的初級電流值,推挽變換器 、正變換器 、半橋及全橋電路的電流值可分別由公式(2.9)、式(2.28)、式C3.1)及式C3.7)計算得出。從得出的電流值就可以計算出MOSFET管的值,能使導通漏源極間電壓 Upn rds ) 不超過(guò)最小直流 輸入電壓的  2%  ,即導通電壓不超過(guò)變壓器最小初級電壓的  2%。

根據前面計算出的值選擇電子器件 ,應注意表 9.1 中的數據是在溫度為 25 ℃的條件下給出 的。由于受溫度等參數影響較大 ,所以選擇MOSFET管時(shí)要注意圖 9.9 和圖 9.10 中隨溫度和器件額定電壓變化的曲線(xiàn) 。圖 9.10 說(shuō)明額定電壓為 400V 的 MOSFET 管在溫度為 100℃的條件下的是 25℃時(shí)的 1.6 倍。

.下面以一個(gè)工作于 115V 線(xiàn)電壓的 150W 正激變換器為例進(jìn)行說(shuō)明 。假設整流后最大和最 小直流線(xiàn)電壓分別是 184V 和 136V,由式 ( 2.88 ) 計算出等效平頂波電流 lptt=3.13× 050÷136 )= 3.45A ,那么由于 MOS管跨導主要作用電壓占最小電源電壓的 2%

表 9.1 給出了 Motorola 公司生產(chǎn)的塑料封裝 、額定電壓為 450V 的 MOSFET 管的各種 數據。



對于設計人員來(lái)說(shuō) ,選擇器件要兼顧性能和成本 。額定電流為 7A 的 MTH7N45 管士作 在漏極電流為 3.45A 時(shí),其導通壓降為 2.72V o 這會(huì )使它的工作溫度比 MTH13N45 管的高一 些,但如果要求不高也可以使用 ,因為 MTH7N45   管有成本低的優(yōu)勢 。

邊擇 MOSFET 管還有 A 個(gè)方法 ,就是設它的最大結點(diǎn)溫度一一比如說(shuō)可以將其設為 100℃。然后假設一個(gè)合理的較低的 MOSFET 管結點(diǎn)到外殼的溫升 ( 這樣就小需里太低的外殼散熱溫度 因為器件外殼溫度比結點(diǎn)溫低的越多 ,需要的散熱器越大) 。比如l可以假定合理的結點(diǎn)到外殼的溫升為 5℃,則有



中,是 MOSFET 管的有效電流 。對于一個(gè)正激變換器 , 每個(gè)周期的最大導通時(shí)間是0.8T / 2 ,有效電流是那么對于上由的例f 中,功率為

這種額定電流和封裝尺寸的 MOSFET 管熱陽(yáng)一般為 0.83℃1W 為

這是在結點(diǎn)溫度為 100℃時(shí)的 rcts ,當尖峰電流為 3.45A 且導通比為 0.4% 時(shí),它產(chǎn)生了 5℃的結點(diǎn)到外殼的溫差 。結點(diǎn)溫度為 25°C 時(shí),這樣 ,在結點(diǎn)到外殼的溫差為 5℃時(shí),表 9.1 表明 MTH7N45 管是 A 個(gè)合適的選擇 。但在 100℃時(shí),它的導通壓降為 。如果不考慮成本 ,MTH13N45管會(huì )是更加合適選擇。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


關(guān)注KIA半導體工程專(zhuān)輯請搜微信號:“KIA半導體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”

長(cháng)按二維碼識別關(guān)注