開(kāi)關(guān)電源常用的控制方式有脈沖寬度調耐(PWM、脈沖頻率調制(PFM)和混合調制三種。目前大多數開(kāi)關(guān)電源都采用了PWM控制。在髏開(kāi)關(guān)電源中．如開(kāi)關(guān)MOS管老是周期性地通／斷，PWM控制電路只是改變每個(gè)周期的脈沖寬度而已。跟著(zhù)半導體技術(shù)的高速發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源控制電路的集成化水甲不斷進(jìn)步，外接電路越來(lái)越簡(jiǎn)樸，出產(chǎn)a益簡(jiǎn)化，成今日益降低．出產(chǎn)控制驅動(dòng)芯片的廠(chǎng)家日益增多．其種類(lèi)也日益多樣化．本章將先容幾種常用的PWM集成控制芯片的內部結構及其典型應用電路：自激式PWM控制電路

1、PWM控制電路工作原理

自漸式PWM控制電路具有電路結構簡(jiǎn)樸、使用元器件少、本錢(qián)低等特點(diǎn)，廣泛應用于50w以下的開(kāi)關(guān)電源中。自激式PWM控制電路的工作原理如圖7-l所示。

例如在MOS管VT導通期間(tON，加在變壓器低級繞組Np兩真個(gè)電壓為U，同時(shí)變壓器T的反饋繞組ND上感應出電壓U，該電壓為正反饋電壓，加到VT基極上并使其進(jìn)一步加速導通，這時(shí)開(kāi)關(guān)變壓器T的低級繞組N。兩真個(gè)電壓U＝u-

UcE。T的次級繞組NS上感應的電壓(Ns/Np)U１對于整流碳化硅二極管VD來(lái)說(shuō)為反向電壓，因此，次級繞組中無(wú)電流。低級饒組電流為變壓器的勵磁電流，設低級繞組的電感為L(cháng)、導通時(shí)間為L(cháng)，則該勵磁電流為ut/Lr,，并隨時(shí)間成比例增大。VT的電流增大，若其基極電流不能使其保持飽和狀態(tài)，則VT脫離飽和而UcE隨之增大。因為UCE增加，所以變壓器低級繞組的電壓下降，基極電壓UB隨之下降，UCE進(jìn)一步增加。因為正反饋作用，導致開(kāi)關(guān)晶體場(chǎng)效應管訊速截止UT從導通到截止瞬間，磁場(chǎng)的大小和方向都不變，保持安匝數相同，因此變壓器次級繞組的感應電壓為上正下負，二極管VD跨導通。這時(shí)，若輸出電壓為Uo，整流二極管的壓降為UD，則變壓器次級繞組電壓U：=%-U。。若次級繞組的電感為k，則流經(jīng)二VD的電流，。的波形如圖7-2所示。電流ID的下降速率為U：，／Ls．變壓器低級繞組存儲的能量耦合到次級繞組，供應輸出端負載。經(jīng)由某一時(shí)間tOFF后，若變壓器低級繞組中儲存的能量都轉移到輸出側，則二極管VD截止，變壓器各繞組的電壓瞬間為零。但啟動(dòng)繞組R。中的部門(mén)電流為VT的基極電流，VT重新導通，有集電極電流流過(guò)，并構成正反饋，VT再次迅速導通，進(jìn)入F工作周期，電路就持續工作在自激振蕩狀態(tài)。

輸入電源U，一路通過(guò)開(kāi)關(guān)變壓器T的低級繞組連接到開(kāi)關(guān)晶體管，VT的集電檄，另一路通過(guò)啟動(dòng)電阻R加到wr的基極。接通輸入電源U后，通過(guò)啟動(dòng)電阻R的電流I（啟動(dòng)電流)流經(jīng)VT的基及，VT導通，其集電極電流IP必定由零開(kāi)始逐漸增加。

在VT導通期間(oN)，變壓器T的低級繞組從輸入側蓄積能量；在VT截止期間（tOFF），變壓器T蓄積的能量通過(guò)次級繞組開(kāi)釋供應輸出負載，此時(shí)低級繞組處于無(wú)電流暢通流暢的間歇工作方式。

在tON期間VT導的能量為

在tOFF期間，初級繞組側無(wú)電流．ton期間壓器T中蓄積的能量通過(guò)次級繞組Ls釋放。從ton轉換到fOFF瞬間，初次綴繞組安匝數相等，因此，若變壓器初級側的能量全部傳遞給次級側，則有

式中，Ns為次級繞組匝數；Is為繞組電流：

電L。與Lp比與繞組匝數的平方呈正比，即

振蕩頻率為f，則每秒提供的功率P=EF設變壓器效率為'7，輸出電壓和電流分別為Uc，和，．，，則輸出功率Pn為

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