mos管模型及三個(gè)小信號參數
信息來(lái)源：本站 日期：2017-08-18
小信號等效電路
模仿電路解析包括直流解析和交流小信號解析。這里導入小信號解析時(shí)所需要的小信號等效電路。小信號等效電路模型是使計算簡(jiǎn)單化的線(xiàn)性模型。
三個(gè)小信號參數gm、gmb、go
如前所述，模仿電路是在MOS晶體管器件的飽和區停止工作的。飽和區中，MOS晶體管的ID-VGS特性是ID∝ (VGS_VT)2，ID與Gs之間不是線(xiàn)性關(guān)系。但是，如圖2.1所示，在微小電壓νgs與微小電流id之間能夠看作線(xiàn)性關(guān)系近似認為id∝ νgs。
圖2.2示出MOS晶體管的低頻小信號等效電路。這里運用的小信號參數gm、gmb、go定義如下（單位都是西[門(mén)子]，S）。
(1)跨導(transconductance) gm：
(2)體跨導(bulk transconductance)gmb：
(3)漏極電導(grain conductance)go：
跨導gm表示圖2.1中示出的微小區域中直線(xiàn)的斜率。漏極電導go表示圖2.3中示出的ID-VDS特性的斜率，go=1/ro（ro是輸出電阻）。
