MOS構造優(yōu)點(diǎn)是什么，特點(diǎn)有什么優(yōu)勢？工作原理是什么？
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-25
MOSFET構造，從縱剖面來(lái)看，柵極（柵區）、源極（源區）、漏極（漏區）大致排列在同不斷線(xiàn)上，這樣的構造被稱(chēng)為橫向溝道(Ltcral Channel)構造。同時(shí)，柵極，精確一點(diǎn)說(shuō)是“柵區”與漏區、源區的分界面大致也是平面狀的，這種柵極構造稱(chēng)為平面柵極(Planar Gate)構造。
上述構造的優(yōu)點(diǎn)是結電容小，比擬合適于高頻小功率應用，缺乏之處是源極與漏極相距比擬遠，導電溝道的寬度有限，不太合適于功率應用?！鞍疾?。形的“槽柵”(Trench Gate)構造可以增加柵區與源區和漏區的接觸面積，增加對電流的控制才能。垂直溝道構造是將源極與漏極配置在柵極的-側，漏極與源極則是相向排列，這樣的溝道構造縮短了溝道長(cháng)度，合適于大電流應用。
功率MOS場(chǎng)效應管大都采用“垂直”溝道和“槽柵”構造，合起來(lái)簡(jiǎn)稱(chēng)“溝槽柵”結構。電子顯微鏡下的照片以顯現兩種溝道和柵極構造的主要區別（圖1.14）。
TMOS (TrenchMOS)的稱(chēng)號固然指的是槽柵構造的MOSFET，但由于槽柵與垂直溝道常常是同時(shí)應用的，因而它也同時(shí)指垂直溝道構造，即“溝槽柵。構造的功率MOSFET。
最先應用的槽柵構造的剖面外形與英文字母“v”很類(lèi)似（圖1. 15），VMOS的最初稱(chēng)號就是由此而來(lái)，它是“V-groove Vertical Metal Oxide Semiconduc-tor”的縮寫(xiě)，曾經(jīng)簡(jiǎn)稱(chēng)為“VVMOS”，至今依然可以在一些公開(kāi)的材料中見(jiàn)到。這種依據柵極（柵區）的剖面外形停止的技術(shù)命名辦法也被沿用了下來(lái)，以后陸續呈現了UMOS、πMOS等
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