N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻人負離子），故在UCs=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下，漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道（稱(chēng)為初始溝道），只要加上正向電壓UDS，就有電流。假如加上正的UCs，柵極與N溝道間的電場(chǎng)將在溝道中吸引來(lái)更多的.

N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻人負離子），故在UCs=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下，漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道（稱(chēng)為初始溝道），只要加上正向電壓UDS，就有電流。假如加上正的UCs，柵極與N溝道間的電場(chǎng)將在溝道中吸引來(lái)更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小。增大。反之UCs為負時(shí)，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大。減少。當UCS負向增加到某一數值時(shí)，導電溝道消失。趨于零，管子截止，故稱(chēng)為耗盡型。

N溝道耗盡型MOSFET的結構與增強型MOSFET結構類(lèi)似，只有一點(diǎn)不同，就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時(shí)，溝道已經(jīng)存在。該N溝道是在制造過(guò)程中應用離子注入法預先在襯底的表面，在D、S之間制造的，稱(chēng)之為初始溝道。N溝道耗盡型MOSFET的結構和符號如圖1.（a）所示，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當VGS＝0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應出反型層，形成了溝道。于是，只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。當VGS＞0時(shí)，將使ID進(jìn)一步增加。VGS＜0時(shí)，跟著(zhù)VGS的減小漏極電流逐漸減小，直至ID＝0。對應ID＝0的VGS稱(chēng)為夾斷電壓，用符號VGS(off)表示，有時(shí)也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉移特性.

耗盡型MOS場(chǎng)效應管，是在制造過(guò)程中，預先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)也能在P型襯底中“感應”出足夠的電子，形成N型導電溝道。

當UDS>0時(shí)，將產(chǎn)生較大的漏極電流ID。假如使UGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場(chǎng)，使N溝道變窄，從而使ID減小。當UGS更負，達到某一數值時(shí)溝道消失，ID=0。使ID=0的UGS我們也稱(chēng)為夾斷電壓，仍用UP表示。UGS

據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指，當VGS=0時(shí)即形成溝道，加上準確的VGS時(shí)，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。

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