MOS器件的低電壓低規格趨勢｜材料新應用的方法
信息來(lái)源：本站 日期：2017-08-07
不過(guò)，在電壓規格方而，（KIA）VMOS也不是完整沒(méi)有建樹(shù)，豐要開(kāi)展是新型半導體資料的應用，典型的例了是SiC，相似的開(kāi)展也表現在IGBT方面。目前實(shí)用化的應用是用基于肖特基勢壘的肖特基二極管替代傳統的體二極管，除了有利于降低VMOS的續流功耗，重要的是，可以進(jìn)步其抵御“雪崩能量”的才能。關(guān)于雪崩能量的問(wèn)題，相關(guān)的闡明在本書(shū)的第3章。
同樣從SiC資料受益的還有功率VFET，并且不局限于體二極管的產(chǎn)品也曾經(jīng)面世，電壓規格可達1700V，只是目前的產(chǎn)量和跟進(jìn)的制造商不多，市場(chǎng)前景還有待察看。
SiC資料的應用，除了在電壓規格方面可以有所打破；在低壓產(chǎn)品中也是大有可為，那就是明顯進(jìn)步器件的適用開(kāi)關(guān)頻率(圖1. 48)。當然，新型半導體的應用，并不儀儀限于SiC，曾經(jīng)開(kāi)端應用的新型半導體新資料還有GaN、GaAs等。
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