雪崩,雪崩二極管內置,器件,靜電毀壞原因等-漲知識必讀
信息來(lái)源:本站 日期:2017-09-29
假如在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且到達擊穿電壓V(BR)DSS (依據擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)作毀壞的現象。在介質(zhì)負載的開(kāi)關(guān)運轉斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區而招致毀壞的形式會(huì )惹起雪崩毀壞。典型電路:
由超出安全區域惹起發(fā)熱而招致的。發(fā)熱的緣由分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。直流功率緣由:外加直流功率而招致的損耗惹起的發(fā)熱
●導通電阻RDS(on)損耗(高溫時(shí)RDS(on)增大,招致一定電流下,功耗增加)
●由漏電流IDSS惹起的損耗(和其他損耗相比極?。┧矐B(tài)功率緣由:外加單觸發(fā)脈沖
●負載短路
●開(kāi)關(guān)損耗(接通、斷開(kāi)) *(與溫度和工作頻率是相關(guān)的)
●內置二極管的trr損耗(上下橋臂短路損耗)(與溫度和工作頻率是相關(guān)的)器件正常運轉時(shí)不發(fā)作的負載短路等惹起的過(guò)電流,形成瞬時(shí)部分發(fā)熱而招致毀壞。
另外,由于熱量不相配或開(kāi)關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí),持續的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度招致熱擊穿的毀壞。
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