VMOS的串聯(lián)

串聯(lián)(SeriesConnection)是為理解決電壓規格不夠的問(wèn)題，與VMOS的并聯(lián)相似，我們這里所說(shuō)的電壓規格不夠用，指的是即使是采用多管電路拓撲也難以滿(mǎn)足需求時(shí)，如全橋、三相全橋等電路拓撲。與VMOS并聯(lián)稍有不同的是，多電平變換應該優(yōu)先于多管（模塊）的串聯(lián)應用。

在買(mǎi)踐應用上，串聯(lián)與并聯(lián)一樣會(huì )明顯降低功率開(kāi)關(guān)的外關(guān)速度，使之適用的工作頻率明顯降低，以致于降低到IGBT也可以足以順應的程度；同時(shí)高電壓規格的VMOS的飽和壓降會(huì )明顯升高，高于1000V時(shí)曾經(jīng)與IGBT相差無(wú)幾，到2000V左右時(shí)，IGBT在本身功耗方面曾經(jīng)有了優(yōu)勢。

因而，在工程應用上，VMOS的串聯(lián)應用并不多見(jiàn)，需求更高的電壓規格時(shí)，1GBT更有優(yōu)勢，目前的單管產(chǎn)品，VMOS產(chǎn)品適用的最高電壓根本上還彷徨在1000V左右，而IGBT產(chǎn)品適用的最高電壓規格，單管曾經(jīng)到達了2500～3300V，模塊產(chǎn)品曾經(jīng)到達了4500一6500V的程度。

除非是必需采用VMOS，同時(shí)又必需采用很高電源電壓時(shí)，才會(huì )用到VMOS的串聯(lián)，即使遇到這樣的問(wèn)題，串聯(lián)也并不是首選的計劃，特別是用于工業(yè)化產(chǎn)品，首選的計劃應該是尋覓替代計劃，如采用IGBT、基于VMOS的多電平變換等等。

萬(wàn)不得已采用VMOS串聯(lián)時(shí)，首要的問(wèn)題是驅動(dòng)的隔離，除了信號通道需求隔離外，電源也需求隔離。

其次是均壓，與VMOS并聯(lián)時(shí)的均流相似，均壓是為了讓串聯(lián)的每一個(gè)功率開(kāi)關(guān)接受近似相等的電壓，假如誤差比擬大，就需求增加串聯(lián)的功率開(kāi)關(guān)的數量，增大電壓耐受量的裕量。換言之，兩個(gè)1000V電壓規格的VMOS串聯(lián)，理論上能夠視為2000V電壓規格的VMOS，為了保險起見(jiàn)，我們能夠將其電壓規格定為isoov以至更低。這樣做的弊端是，串聯(lián)功率開(kāi)關(guān)的本身功耗將明顯增加，緣由是我們?yōu)榱巳〉?000V電壓規格的功率開(kāi)關(guān)，本來(lái)兩個(gè)串聯(lián)就能夠了，如今為了增加保險系數，就需求3個(gè)串聯(lián)。

串聯(lián)需求思索的要素與并聯(lián)大同小異，額外需求思索的要素是突波吸收電路的參數需求停止挑選，由于它們還同時(shí)擔當著(zhù)動(dòng)態(tài)均壓的任務(wù)。所謂動(dòng)態(tài)均壓，就是功率開(kāi)關(guān)高速開(kāi)關(guān)條件下的均壓，與此相對應，功率開(kāi)關(guān)出于穩定關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的均壓通常稱(chēng)為靜態(tài)均壓，普通用電阻來(lái)完成。

由于VMOS的串聯(lián)很少有實(shí)踐應用，這里只給出一個(gè)2管串聯(lián)的表示圖（圖5.88）。至于信號隔離器件的選擇，視開(kāi)關(guān)速度和隔離電壓的上下而定，光耦有利于進(jìn)步開(kāi)關(guān)速度，變壓器有利于進(jìn)步隔離電壓等級并且高壓側的驅動(dòng)局部能夠自供電，但是主要適用于低速應用。

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