MOS管開(kāi)關(guān)電路是指具有“接通”和“斷開(kāi)”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號具有...MOS管開(kāi)關(guān)電路是指具有“接通”和“斷開(kāi)”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號具有兩種狀態(tài)的電路就是一種開(kāi)關(guān)電路。邏輯門(mén)電路、雙穩態(tài)觸發(fā)器也都是開(kāi)關(guān)電路。 開(kāi)關(guān)電...
MOS管損壞有五種原因(1)雪崩破壞(2)器件發(fā)熱損壞(3)內置二極管破壞、(4...MOS管損壞有五種原因(1)雪崩破壞(2)器件發(fā)熱損壞(3)內置二極管破壞、(4)由寄生振蕩導致的破壞(5)柵極電涌、靜電破壞。如果在漏極-源極間外加超出器件額...
逆變器mos管發(fā)熱嚴重?由于逆變器的場(chǎng)效應管管耗較大,工作時(shí)一般要求要外接面...逆變器mos管發(fā)熱嚴重?由于逆變器的場(chǎng)效應管管耗較大,工作時(shí)一般要求要外接面積足夠大的散熱片,并且外接散熱片與場(chǎng)效應管自身散熱片之間應緊密接觸(一般要求涂...
MOS管燒壞的原因Mos管主要損耗也對應這幾個(gè)狀態(tài),開(kāi)關(guān)損耗(開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程...MOS管燒壞的原因Mos管主要損耗也對應這幾個(gè)狀態(tài),開(kāi)關(guān)損耗(開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個(gè)忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把...
功率MOSFET-Vdss溫度特性分析,由圖可知MSOFET耐壓隨溫度升高而增加。 為什么M...功率MOSFET-Vdss溫度特性分析,由圖可知MSOFET耐壓隨溫度升高而增加。 為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加,即呈現正溫度系數呢?
以840的參數計算,假定門(mén)極電壓10V,那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電...以840的參數計算,假定門(mén)極電壓10V,那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電電阻時(shí)間常數為63us。但是,不是經(jīng)過(guò)一個(gè)時(shí)間常數之后MOS管就關(guān)斷了,而是門(mén)極電壓...