MOSFET 擊穿電壓的原因及解決方案:這三種情形即ESD一般會(huì )對電子元件造成以下三...MOSFET 擊穿電壓的原因及解決方案:這三種情形即ESD一般會(huì )對電子元件造成以下三種情形的影響,(1)元件吸附灰塵,改變線(xiàn)路間的阻抗,影響元件的功能和壽命;(2)因電...
MOS管選型規范在電源電路應用中,往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本...MOS管選型規范在電源電路應用中,往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOSFET實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規格書(shū)中標稱(chēng)漏源擊...
MOS管SOA分析開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(cháng)...MOS管SOA分析開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(cháng)期工作于高電壓大電流狀態(tài),承受著(zhù)很大的功耗,一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì )導致功耗大增,晶...
MOS管驅動(dòng)電路設計一般認為MOSFET是電壓驅動(dòng)的,不需要驅動(dòng)電流。然而,在MOS的...MOS管驅動(dòng)電路設計一般認為MOSFET是電壓驅動(dòng)的,不需要驅動(dòng)電流。然而,在MOS的G、S兩級之間有結電容存在,這個(gè)電容會(huì )讓驅動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。 如果不考慮紋波和...
保護板MOS管燒壞,鋰電池保護板測試時(shí)MOS管裂開(kāi)不會(huì )燒毀,可能是因為過(guò)充或是溫...保護板MOS管燒壞,鋰電池保護板測試時(shí)MOS管裂開(kāi)不會(huì )燒毀,可能是因為過(guò)充或是溫度過(guò)高導致的,需要重新焊接MOS管。鋰電池保護板測試關(guān)系著(zhù)保護板的性能和電池的使...
MOS管和三極管原理圖并不復雜,但是分開(kāi)講述細節,反而不如對比起來(lái)容易理解。...MOS管和三極管原理圖并不復雜,但是分開(kāi)講述細節,反而不如對比起來(lái)容易理解。這里用一張圖,讓您輕松理解MOS管和三極管的工作原理。