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MOS管和三極管區別-分析MOS管和三極管原理圖對比-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2020-09-17 

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MOS管和三極管原理圖對比分析


在電路設計當中假設我們想要對電流中止控制,那就少不了三極管的幫助。我們俗稱(chēng)的三極管其全稱(chēng)為半導體三極管,它的主要作用就是將微小的信號中止放大。MOS管與三極管有著(zhù)許多相近的地方,這就使得一些新手不斷無(wú)法明白兩者之間的區別,本篇文章就將為大家引見(jiàn)三極管和MOS管的一些不同。


關(guān)于三極管和MOS管的區別,簡(jiǎn)單總結了幾句話(huà)便當大家理解。

從性質(zhì)上來(lái)說(shuō):三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制。

從本錢(qián)上來(lái)說(shuō):三極管低價(jià),MOS管貴。

關(guān)于功耗問(wèn)題:三極管損耗大。

驅動(dòng)能力上的的不同:MOS管常用于電源開(kāi)關(guān)以及大電流地方開(kāi)關(guān)電路。

MOS管和三極管原理圖并不復雜,但是分開(kāi)講述細節,反而不如對比起來(lái)容易理解。這里用一張圖,讓您輕松理解MOS管和三極管的工作原理。


MOS管和三極管區別
MOS管和三極管區別原理圖

這里以NMOS和NPN三極管為例,并且以電子流(而非電流)方向為主來(lái)說(shuō)明。


一、MOS管和三極管符號

MOS管一般可以簡(jiǎn)化為三個(gè)極,分別是柵極(G)源極(S)和漏極(D),MOS器件是電壓控制型器件,用柵極電壓來(lái)控制源漏的導通情況;

BJT三極管有三個(gè)極,分別是基極(B)發(fā)射極(E)和集電極(C),三極管是電流控制型器件,用基極電流來(lái)控制發(fā)射極與集電極的導通情況;


二、MOS管和三極管截止區

NMOS管的如果柵壓小于閾值電壓,MOS管相當于兩個(gè)背靠背的二極管,不導通;

NPN三極管也一樣,如果偏壓小于閾值電壓,也相當于兩個(gè)背靠背的二極管,不導通;


三、MOS管和三極管線(xiàn)性區

NMOS如果柵上加正電壓,就會(huì )在其下感應出相反極性的負電荷,從而產(chǎn)生N型溝道,使源漏導通。如果不考慮源漏電壓影響,則柵壓高一點(diǎn),產(chǎn)生的溝道就寬一點(diǎn),導通能力就大一點(diǎn),這就是線(xiàn)性區。

NPN管如果BE結加正向偏置導通,電子就會(huì )進(jìn)入到基區。除了被基區的P型空穴俘獲外,它們有兩個(gè)地方可以去:一個(gè)是從基極流出,一個(gè)是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高,能收集到的電子就會(huì )越多,這也是線(xiàn)性變化的。


四、MOS管和三極管飽和區

NMOS在漏極電壓比較高時(shí),會(huì )使溝道夾斷,之后即使電壓升高,電流不會(huì )再升高,因此叫做飽和區;

NPN三極管在集電極電壓比較高時(shí),也會(huì )幾乎全部收集到從發(fā)射極過(guò)來(lái)的電子,電壓再升高也沒(méi)有辦法收集到更多,也是它的飽和區。


五、MOS管和三極管電流電壓曲線(xiàn)

MOS管和三極管區別的在線(xiàn)性區,隨著(zhù)電壓升高,源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區電壓升高,電流基本都保持不變。二者的趨勢基本一致。