MOS管導通損耗的計算公式為:P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36...MOS管導通損耗的計算公式為:P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36W
判斷場(chǎng)效應管工作區域,下面先講述MOS管場(chǎng)效應管的四個(gè)區域:1)可變電阻區(也...判斷場(chǎng)效應管工作區域,下面先講述MOS管場(chǎng)效應管的四個(gè)區域:1)可變電阻區(也稱(chēng)非飽和區):滿(mǎn)足Ucs》Ucs(th)(開(kāi)啟電壓),uDs《UGs-Ucs(th),為圖中預夾斷...
2020年MOS管即將火爆的電子應用在哪些領(lǐng)域,提供功率MOSFET的型號選型及應用問(wèn)...2020年MOS管即將火爆的電子應用在哪些領(lǐng)域,提供功率MOSFET的型號選型及應用問(wèn)題分析以及AC-DC,DC-DC電源IC方案型號推薦---場(chǎng)效應管MOS管在2020年即將爆發(fā)的十大電...
MOS管 100A 30V參數詳情 優(yōu)質(zhì)品牌 技術(shù)支持 免費送樣,MOS管 100A 30V產(chǎn)品特性...MOS管 100A 30V參數詳情 優(yōu)質(zhì)品牌 技術(shù)支持 免費送樣,MOS管 100A 30V產(chǎn)品特性: RDS(on)=3.2mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進(jìn)溝槽MOS技術(shù) 極低通阻RDS(on) 符合J...
年輕的應用工程師 Neubean 想通過(guò)實(shí)驗證明,為了獲得穩定性,是不是真的必須把...年輕的應用工程師 Neubean 想通過(guò)實(shí)驗證明,為了獲得穩定性,是不是真的必須把一個(gè) 100 Ω 的電阻放在 MOSFET 柵極前。MOSFET,金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管,簡(jiǎn)...
元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構成,可以...元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構成,可以在同類(lèi)產(chǎn)品中通用;常指電器、無(wú)線(xiàn)電、儀表等工業(yè)的某些零件,是電容、晶體管、游絲...