MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見(jiàn)有五種及分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-09-16
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS（根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。MOS管損壞原因
在介質(zhì)負載的開(kāi)關(guān)運行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區而導致破壞的模式會(huì )引起雪崩破壞。
典型電路：
由超出安全區域引起發(fā)熱而導致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。
導通電阻RDS(on)損耗（高溫時(shí)RDS(on)增大，導致一定電流下，功耗增加）由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極小）
負載短路
開(kāi)關(guān)損耗（接通、斷開(kāi)）（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）內置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）器件正常運行時(shí)不發(fā)生的負載短路等引起的過(guò)電流，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導致破壞。另外，由于熱量不相配或開(kāi)關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí)，持續的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導致熱擊穿的破壞。
在DS端間構成的寄生二極管運行時(shí)，由于在Flyback時(shí)功率MOSFET的寄生雙極晶體管運行，導致此二極管破壞的模式。
此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生在并聯(lián)功率MOSFET時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復接通、斷開(kāi)漏極-源極電壓時(shí)，在由柵極-漏極電容
Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí)，在柵極-源極間外加遠遠大于驅動(dòng)電壓Vgs(in)的振動(dòng)電壓，
由于超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞，或者接通、斷開(kāi)漏極-源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會(huì )由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞。
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過(guò)電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端
（包括安裝和和測定設備的帶電）而導致的柵極破壞，MOS管損壞原因。
避免MOS因為器件發(fā)熱而造成的損壞，需要做好足夠的散熱設計。若通過(guò)增加散熱器和電路板的長(cháng)度來(lái)供所有MOS管散熱，這樣就會(huì )增加機箱的體積，同時(shí)這種散熱結構，風(fēng)量發(fā)散，散熱效果不好。有些大功率逆變器MOS管會(huì )安裝通風(fēng)紙來(lái)散熱，但安裝很麻煩。 所以MOS管對散熱的要求很高，散熱條件分為最低和最高，即在運行中的散熱情況的上下浮動(dòng)范圍。一般在選購的時(shí)候通常采用最差的散熱條件為標準，這樣在使用的時(shí)候就可以留出最大的安全余量，即使在高溫中也能確保系統的正常運行。
