MOS管開(kāi)關(guān)頻率測算

MOS管在導通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS管兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越快，損失也越大。

以840的參數計算，假定門(mén)極電壓10V，那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電電阻時(shí)間常數為63us。但是，不是經(jīng)過(guò)一個(gè)時(shí)間常數之后MOS管就關(guān)斷了，而是門(mén)極電壓下降到Vg(th)以下MOS管才會(huì )關(guān)斷。這段時(shí)間與MOS管型號有關(guān)，與門(mén)極充電達到的電壓有關(guān)(實(shí)際上門(mén)極電容并不是線(xiàn)性電容)，不太準確的估計，可以把門(mén)極電容放電時(shí)間估計為63us的2倍，即0.12ms。MOS管門(mén)極充電電阻較小(首帖圖中為3千歐)，估計充電時(shí)間為0.06ms。那么充電放電時(shí)間一共是0.18ms。該MOS管在此電路中最大開(kāi)關(guān)工作頻率為5.5kHz。

二、MOS管開(kāi)關(guān)電路

下為一張典型的N溝道增強型MOS管開(kāi)關(guān)電路原理圖：

D1作用：續流二極管

R1作用：

1、限流電阻，減小瞬間電流值：MOS管屬于壓控型器件，兩兩引腳之間存在寄生電容（Cgs、Cgd、Cds）:

規格書(shū)中一般會(huì )標注Ciss、Coss、Crss：

Ciss = Cgs + Cgd

Coss = Cds + Cgd

Crss = Cgd

如圖Ciss=587pF，假設VGs=24V，dt=Tr（上升時(shí)間）=20ns，則MOS管在開(kāi)關(guān)時(shí)的瞬間電流I = Ciss * dVgs / dt = 0.7A

當在柵極串接一個(gè)電阻（幾Ω~上千Ω）時(shí)，會(huì )與Ciss形成RC充放電回路，從而減小瞬間電流值

2、調節M(mǎn)OS管的通斷速度，有利于控制EMI：同時(shí)，加上R1后，MOS管開(kāi)關(guān)頻率測算MOS管通斷切換時(shí)間會(huì )變慢，有利于控制EMI；但是如果串接的電阻太大，會(huì )導致柵極達到導通電壓的時(shí)間變長(cháng)，也就是說(shuō)MOS管處在半導通狀態(tài)的時(shí)間太長(cháng)，此時(shí)MOS管內阻較大，Rds->Rdson的時(shí)間比較長(cháng)，Rds會(huì )消耗大量的功率，可能導致MOS管因發(fā)熱而損壞

3、抑制柵極振蕩：

MOS管接入電路后，引入引線(xiàn)寄生電感，會(huì )與寄生電容形成LC振蕩電路，對于方波這種開(kāi)關(guān)波形信號來(lái)說(shuō)包含很多頻率成分：

那么就可能在某個(gè)諧振頻率相同或者相近時(shí)形成串聯(lián)諧振電路，串接一個(gè)電阻后會(huì )減小振蕩電路的Q值，從而使振蕩快速衰減

R2作用：

1、G極對地電阻（一般5KΩ~數十KΩ），通過(guò)下拉為MOS管提供一個(gè)固定偏置，避免當IC驅動(dòng)口處于高阻態(tài)的情況下G極受到干擾信號使MOS管意外導通

2、泄放電阻，通過(guò)這個(gè)電阻泄放掉G-S之間的少量靜電（G-S之間的電阻很大很大，少量的靜電就能通過(guò)G-S之間的等效電容產(chǎn)生很高的電壓，此時(shí)由于RGS很大，感應電荷難以釋放，以致于高壓將MOS管很薄的絕緣層擊穿，損壞MOS管）從而保護MOS管，如果沒(méi)有這個(gè)電阻，MOS管容易受到外界干擾意外導通燒壞，此外在MOS管工作不斷開(kāi)通關(guān)斷的時(shí)候對寄生電容進(jìn)行適當的放電以保護MOS管