國產(chǎn)MOS管KIA3308A代替HY3008B產(chǎn)品規格書(shū)-國產(chǎn)原廠(chǎng)制造-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-03-11
下文將會(huì )詳細的介紹國產(chǎn)MOS管KIA3308A和HY3008B兩個(gè)產(chǎn)品的主要參數、封裝、應用領(lǐng)域等產(chǎn)品信息。KIA半導體是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來(lái)自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案，同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。
強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場(chǎng)效應管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標，KIA半導體正在持續創(chuàng )新，永不止步！
RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V
提供無(wú)鉛環(huán)保設備
降低導電損耗的低RD值
高雪崩電流
電力供應
直流變換器
型號：KIA3308A
電流：80A
電壓：80V
漏源極電壓:80V
柵源電壓:±25
脈沖漏電流：340A
雪崩電流:20A
雪崩能源:410MJ
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電流：100A
電壓：80V
漏源極電壓:80V
柵源電壓:±25
二極管連續正向電流:100A
漏極擊穿電壓：80V
柵極電阻：1.0?
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聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
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