200V大功率MOS管大功率驅動(dòng)電源

MOS管功率放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數，安全可靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)略等長(cháng)處。

200v大功率mos管型號

mos管參數

ards---漏源電阻溫度系數

aID---漏極電流溫度系數

Vn---噪聲電壓

η---漏極效率（射頻功率管）

Zo---驅動(dòng)源內阻

VGu---柵襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VGD---柵漏電壓（直流）

VDS(sat)---漏源飽滿(mǎn)電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

Tstg---貯成溫度

Tc---管殼溫度

Ta---環(huán)境溫度

Tjm---最大容許結溫

Tj---結溫

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數）

POUT---輸出功率

PIN--輸入功率

PDM---漏極最大容許耗散功率

PD---漏極耗散功率

R(th)ja---結環(huán)熱阻

R(th)jc---結殼熱阻

RL---負載電阻（外電路參數）

Rg---柵極外接電阻（外電路參數）

rGS---柵源電阻

rGD---柵漏電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS---漏源電阻

Ls---源極電感

LD---漏極電感

L---負載電感（外電路參數）

Ku---傳輸系數

K---失調電壓溫度系數

gds---漏源電導

ggd---柵漏電導

GPD---共漏極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨導

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）

Iu---襯底電流

IDSS2---對管第二管漏源飽滿(mǎn)電流

IDSS1---對管第一管漏源飽滿(mǎn)電流

IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流

IF---二極管正向電流

IGP---柵極峰值電流

IGM---柵極脈沖電流

IGSO---漏極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流

IGDO---源極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流

IGR---反向柵電流

IGF---正向柵電流

IG---柵極電流（直流）

IDS(sat)---溝道飽滿(mǎn)電流（漏源飽滿(mǎn)電流）

IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流

IDSM---最大漏源電流

IDS---漏源電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

ID(on)---通態(tài)漏極電流

dv/dt---電壓上升率（外電路參數）

di/dt---電流上升率（外電路參數）

Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

Ear:重復雪崩擊穿能量

Iar:雪崩電流

Ton:正導游通時(shí)刻.(根本能夠忽略不計).

Qrr :反向恢復充電電量.

Trr :反向恢復時(shí)刻.

VSD :正導游通壓降.

ISM:脈沖最大續流電流(從源極).

IS :接連最大續流電流(從源極).

EAR:重復雪崩擊穿能量.

IAR :雪崩電流.

EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個(gè)極限參數,闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.

mos管作用

MOS管主驅動(dòng)電路的輸出端與MOS管的柵極電銜接，輸入端接單片機脈寬調制輸入信號。 以運放的輸出作為OCL的輸入，到達克制零點(diǎn)漂移的作用。

mos管電路

MOS管驅動(dòng)電路，驅動(dòng)電路包含MOS管主驅動(dòng)電路和欠壓維護電路。欠壓維護電路銜接在MOS管主驅動(dòng)電路的輸入端，包含對比器、電阻R1、R2和穩壓二極管D2；電阻R2和對比器的輸入端并聯(lián)再與電阻R1串聯(lián)在MOS管主驅動(dòng)電路的驅動(dòng)電源和電源地之間；對比器的輸出端串聯(lián)穩壓二極管D2。本實(shí)用新型的欠壓維護電路將驅動(dòng)電源電壓經(jīng)電阻分壓后的電壓與設定的基準電壓對比，假如低于基準電壓，欠壓維護驅動(dòng)電路當即堵截MOS管驅動(dòng)電路，有用避免MOS管進(jìn)入線(xiàn)性區所形成的功率器材功率低及易損壞等不良后果。

mos開(kāi)關(guān)

開(kāi)關(guān)損耗與功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驅動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)燒可以從以下幾個(gè)方面解決：A、不能片面根據導通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管，由于內阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。對于前者，留意不要將負載電壓設置的太高，固然負載電壓高，效率會(huì )高點(diǎn)。如果芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會(huì )引起芯片的發(fā)燒。有的工程師沒(méi)有留意到這個(gè)現象，直接調節sense電阻或者工作頻率達到需要的電流，這樣做可能會(huì )嚴峻影響LED的使用壽命。在均勻電流不變的條件下，只能看著(zhù)光衰了。不管如何降頻沒(méi)有好處，只有壞處，所以一定要解決。

mos管電路特征

1:用低端電壓和PWM驅動(dòng)高端MOS管。

2:用小幅度的PWM信號驅動(dòng)高gate電壓需要的MOS管。

3:gate電壓的峰值束縛

4:輸入和輸出的電流束縛

5:通過(guò)運用適合的電阻，可以抵達很低的功耗。

6:PWM信號反相。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過(guò)前置一個(gè)反相器來(lái)處理。

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