120V130A低內(nèi)阻MOS管 KNX2912A產(chǎn)品描述: KNX2912A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供...120V130A低內(nèi)阻MOS管 KNX2912A產(chǎn)品描述: KNX2912A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供出色的RDS(導(dǎo)通)、低柵極電荷。可用于多種應(yīng)用。
80A60V低壓MOS管 KNX3306A?產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=7毫歐(typ)@VGS=10V 2、無鉛...80A60V低壓MOS管 KNX3306A?產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=7毫歐(typ)@VGS=10V 2、無鉛綠色設(shè)備 3、低電阻開關(guān),減少導(dǎo)電損耗 4、高雪崩電流
低壓小功率MOS管KIA30N06B-描述 KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch ...低壓小功率MOS管KIA30N06B-描述 KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿足...
電力MOS場效應(yīng)管-分為結(jié)型和絕緣柵型,通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Ox...電力MOS場效應(yīng)管-分為結(jié)型和絕緣柵型,通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱電力MOSFET(Power MOSFET) 結(jié)型電力場效應(yīng)晶體管一...
門電路:用以實現(xiàn)基本邏輯運算和復(fù)合邏輯運算的單元電路稱為門電路(Gate Circu...門電路:用以實現(xiàn)基本邏輯運算和復(fù)合邏輯運算的單元電路稱為門電路(Gate Circuit)或邏輯門(Logic Gate)。門電路是數(shù)字集成電路中最基本的邏輯單元。 當(dāng)門電路的輸...
NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A資料 特征: 溝槽功率低壓MOSFET技術(shù) 優(yōu)良...NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A資料 特征: 溝槽功率低壓MOSFET技術(shù) 優(yōu)良的散熱封裝 低RDS(ON)的高密度電池設(shè)計