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低壓小功率MOS管KIA30N06B 60V25A參數(shù) 原廠現(xiàn)貨-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-09-02 

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低壓小功率MOS管KIA30N06B 60V25A參數(shù) 原廠現(xiàn)貨-KIA MOS管


低壓小功率MOS管KIA30N06B原廠簡介

KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

低壓小功率MOS管KIA30N06B

低壓小功率MOS管KIA30N06B-描述

KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%的EAS保證了全部功能的可靠性。



特點

RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V

先進的高密度溝槽技術(shù)

超低端滑蓋裝

優(yōu)良的CDV/dt效應(yīng)遞減

100% EAS保證

綠色的可用設(shè)備


應(yīng)用

高頻點同步降壓變換器

網(wǎng)絡(luò)化DC-DC電源系統(tǒng)

負荷開關(guān)


KIA30N06B參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA30N06

工作方式:25A/60V

漏流電壓:60V

柵源電壓(連續(xù)):±20V

連續(xù)漏電流:25A

脈沖漏極電流:50A

雪崩能量:22.6A

熱電阻:62℃/W

漏源擊穿電壓:60V

溫度系數(shù):0.063V/℃

柵極閾值電壓:12V

輸入電容:1345 PF

輸出電容:72.5 PF

上升時間:14.2 ns

封裝形式:TO-251、TO-252


低壓小功率MOS管KIA30N06B-封裝圖


低壓小功率MOS管KIA30N06B

低壓小功率MOS管KIA30N06B

低壓小功率MOS管KIA30N06B


KIA本著“攜手客戶,創(chuàng)新設(shè)計,共同提升,服務(wù)市場”的理念,期待在您的大力支持下,使KIA成為MOSFET器件領(lǐng)域的優(yōu)秀mos管品牌。



聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

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