MOS管我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路中常用的一種無(wú)源器件。在原理圖和PCB以及實(shí)物PCB中如何辨...MOS管我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路中常用的一種無(wú)源器件。在原理圖和PCB以及實(shí)物PCB中如何辨別各種MOS管?作為應(yīng)用好的先決條件,必須認(rèn)對(duì)管子,了解MOS管畫(huà)法。
在電路設(shè)計(jì)中,常見(jiàn)到利用 MOS 電容做去耦電容(也有利用來(lái)做miller補(bǔ)償?shù)碾娙?..在電路設(shè)計(jì)中,常見(jiàn)到利用 MOS 電容做去耦電容(也有利用來(lái)做miller補(bǔ)償?shù)碾娙荩虼藢?duì) mosfet 的 c-v 特性曲線有必要進(jìn)行確認(rèn)。關(guān)于具體的 c-v 曲線的仿真方法...
50A60V內(nèi)阻低 MOS管KIA50N06產(chǎn)品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供無(wú)鉛綠色...50A60V內(nèi)阻低 MOS管KIA50N06產(chǎn)品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供無(wú)鉛綠色設(shè)備 低Rds開(kāi)啟,可將傳導(dǎo)損耗降至最低 高雪崩電流
柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg(柵極電荷總量)引起的損耗。當(dāng)MOSFET開(kāi)...柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg(柵極電荷總量)引起的損耗。當(dāng)MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí),電源IC的柵極驅(qū)動(dòng)器向MOSFET的寄生電容充電(向柵極注入電荷)而產(chǎn)生這種損耗...
KND3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET,為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)...KND3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET,為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KND3404C滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求, 100%的EAS保證了全部功能的可...
電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見(jiàn),因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路...電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見(jiàn),因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路模塊,加上那個(gè)電路模塊,拼拼湊湊連起來(lái)就是一個(gè)電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會(huì)...