MOS管120A85V KCX3008A參數(shù)資料 特征: 使用先進(jìn)的SGT技術(shù) 極低的RDS(ON).t...MOS管120A85V KCX3008A參數(shù)資料 特征: 使用先進(jìn)的SGT技術(shù) 極低的RDS(ON).typ=4.5mΩ@vgs= 10V 出色的柵極電荷x RDS(on)產(chǎn)品(FOM)
結(jié)溫(Junction Temperature)是電子設(shè)備中半導(dǎo)體的實(shí)際工作溫度。在操作中,它...結(jié)溫(Junction Temperature)是電子設(shè)備中半導(dǎo)體的實(shí)際工作溫度。在操作中,它通常較封裝外殼溫度(Case Temperature)高。溫度差等于其間熱的功率乘以熱阻。
80V80A MOS管可替代 KIA75N75資料 特征: RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V 提供無(wú)鉛環(huán)...80V80A MOS管可替代 KIA75N75資料 特征: RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V 提供無(wú)鉛環(huán)保設(shè)備 低RDS-ON可將傳導(dǎo)損耗降至最低 大雪崩電流
據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱(chēng),中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的一線IC設(shè)計(jì)公司已通知客戶(hù),從2022年第一季度...據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱(chēng),中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的一線IC設(shè)計(jì)公司已通知客戶(hù),從2022年第一季度起將進(jìn)一步提價(jià)。其他設(shè)計(jì)公司也在尋求未來(lái)3-6個(gè)月內(nèi)提高芯片價(jià)格,或?qū)⒂诿髂觊_(kāi)始...
三種組態(tài)電路比較 共射電路:電壓和電流放大倍數(shù)均大,輸入輸出電壓相位相反,...三種組態(tài)電路比較 共射電路:電壓和電流放大倍數(shù)均大,輸入輸出電壓相位相反,輸出輸出電阻適中。常用于電壓放大。
復(fù)合管,是兩個(gè)或兩個(gè)以上的晶體管通過(guò)某種方式組合在一起使用。復(fù)合管可以看成...復(fù)合管,是兩個(gè)或兩個(gè)以上的晶體管通過(guò)某種方式組合在一起使用。復(fù)合管可以看成一個(gè)特殊的晶體管使用,其復(fù)合后的電路放大系數(shù)β約為各個(gè)三級(jí)管β的積。復(fù)合后的U...