萬(wàn)用表直流電壓擋測量三極管集電極直流電壓方法示意圖。測量三極管的集電極直流...萬(wàn)用表直流電壓擋測量三極管集電極直流電壓方法示意圖。測量三極管的集電極直流電壓是故障檢修中經(jīng)常釆用的檢測手段。選擇直流電壓擋的適當量程,給電路通電,黑表...
MOS管小尺寸下的效應分析 MOS管在小尺寸下的效應,主要是小尺寸下的高電場(chǎng)(包...MOS管小尺寸下的效應分析 MOS管在小尺寸下的效應,主要是小尺寸下的高電場(chǎng)(包括垂直和水平電場(chǎng))引起的問(wèn)題,包括遷移率退化,熱載流子以及 DIBL 等問(wèn)題。
雙穩態(tài)電路是我們經(jīng)常用于作為單鍵控制負載開(kāi)關(guān)電路。本文介紹一個(gè)由兩個(gè)MOS管...雙穩態(tài)電路是我們經(jīng)常用于作為單鍵控制負載開(kāi)關(guān)電路。本文介紹一個(gè)由兩個(gè)MOS管構成的低功耗雙穩態(tài)電路。假設Q1的G極輸入是高電平,Q1導通,輸出低電平,低電平接到...
MOS管KNX3108A 80V110A-特征 RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V 提供無(wú)鉛環(huán)保設備...MOS管KNX3108A 80V110A-特征 RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V 提供無(wú)鉛環(huán)保設備 低RD-ON可將傳導損耗降至最低 大雪崩電流
出現死區的主要原因是因為MOS管的源極和柵極之間的結電容。現在在柵極加上一個(gè)...出現死區的主要原因是因為MOS管的源極和柵極之間的結電容。現在在柵極加上一個(gè)門(mén)電路。當門(mén)電路輸出的信號跳變的瞬間,電流是非常大的,會(huì )導致MOS管發(fā)熱,所以需要...
低內阻MOS管 KIA3506A 60V70A產(chǎn)品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專(zhuān)...低內阻MOS管 KIA3506A 60V70A產(chǎn)品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專(zhuān)為電動(dòng)自行車(chē)控制器應用而設計 超低電阻 高UIS和UIS 100%測試