大功率MOS管

MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場(chǎng)效應管，屬于場(chǎng)效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。

1、大功率MOS管構造

在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個(gè)N溝道（NPN型）增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。圖1-1所示 A 、B分別是它的結構圖和代表符號。

同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區，及上述相同的柵極制作過(guò)程，就制成為一個(gè)P溝道（PNP型）增強型MOS管。圖1-2所示A 、B分別是P溝道MOS管道結構圖和代表符號。

2、大功率MOS管工作原理

從圖1-3-A可以看出，增強型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背的PN結。當柵-源電壓VGS=0時(shí)，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個(gè)PN結處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒(méi)有導電溝道（沒(méi)有電流流過(guò)），所以這時(shí)漏極電流ID=0。

此時(shí)若在柵-源極間加上正向電壓，圖1-3-B所示，即VGS＞0，則柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)柵極指向P型硅襯底的電場(chǎng)，由于氧化物層是絕緣的，柵極所加電壓VGS無(wú)法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了一個(gè)電容，VGS等效是對這個(gè)電容充電，并形成一個(gè)電場(chǎng)，隨著(zhù)VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在這個(gè)電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個(gè)從漏極到源極的N型導電溝道，當VGS大于管子的開(kāi)啟電壓VT（一般約為 2V）時(shí)，N溝道管開(kāi)始導通，形成漏極電流ID，我們把開(kāi)始形成溝道時(shí)的柵-源極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓，一般用VT表示?？刂茤艠O電壓VGS的大小改變了電場(chǎng)的強弱，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場(chǎng)來(lái)控制電流的一個(gè)重要特點(diǎn)，所以也稱(chēng)之為場(chǎng)效應管。

3、大功率MOS管的特性

上述大功率MOS管工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結論：

1） MOS管是一個(gè)由改變電壓來(lái)控制電流的器件，所以是電壓器件。

2） MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。

4、大功率MOS管的電壓極性和符號規則

圖1-4-A 是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。

在實(shí)際MOS管生產(chǎn)的過(guò)程中襯底在出廠(chǎng)前就和源極連接，所以在符號的規則中；表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區別漏極和源極。圖1-5-A是P溝道MOS管的符號。

大功率MOS管應用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類(lèi)似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負極，柵極G正電壓時(shí)導電溝道建立，N溝道MOS管開(kāi)始工作,如圖1-4-B所示。同樣P道的類(lèi)似PNP晶體三極管，漏極D接負極，源極S接正極，柵極G負電壓時(shí)，導電溝道建立，P溝道MOS管開(kāi)始工作,如圖1-5-B所示。

5、大功率MOS管和晶體三極管相比的重要特性

1）．場(chǎng)效應管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應圖。

2)．場(chǎng)效應管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系數是（跨導gm）當柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數（貝塔β）當基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少。

3)．場(chǎng)效應管柵極和其它電極是絕緣的，不產(chǎn)生電流；而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此場(chǎng)效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。

4)．場(chǎng)效應管只有多數載流子參與導電；三極管有多數載流子和少數載流子兩種載流子參與導電，因少數載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應管比三極管的溫度穩定性好。

5)．場(chǎng)效應管在源極未與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大，而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí)，其特性差異很大，b 值將減小很多。

6)．場(chǎng)效應管的噪聲系數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應管。

7)．場(chǎng)效應管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開(kāi)關(guān)電路，但是場(chǎng)效應管制造工藝簡(jiǎn)單，并且又具有普通晶體三極管不能比擬的優(yōu)秀特性，在各種電路及應用中正逐步的取代普通晶體三極管，目前的大規模和超大規模集成電路中，已經(jīng)廣泛的采用場(chǎng)效應管。

6、大功率MOS管和大功率晶體三極管相比MOS管的優(yōu)點(diǎn)

1)、輸入阻抗高，驅動(dòng)功率?。河捎跂旁粗g是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對激勵信號不會(huì )產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅動(dòng)，所以驅動(dòng)功率極?。`敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅動(dòng)集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅動(dòng)是需要功率的（Vb×Ib）。

2）、開(kāi)關(guān)速度快:MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開(kāi)關(guān)的速度變慢，但是在作為開(kāi)關(guān)運用時(shí)，可降低驅動(dòng)電路內阻，加快開(kāi)關(guān)速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅動(dòng)，加快了容性的充放電的時(shí)間）。MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關(guān)斷過(guò)程非常迅速，開(kāi)關(guān)時(shí)間在10—100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數載流子的存儲效應，使開(kāi)關(guān)總有滯后現象，影響開(kāi)關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開(kāi)關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來(lái)說(shuō)是難以想象的）。

3）、無(wú)二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當溫度上升就會(huì )導致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現象，而集電極電流的上升又會(huì )導致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續上升、耐壓繼續下降最終導致晶體三極管的擊穿，這是一種導致電視機開(kāi)關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現象，也稱(chēng)為二次擊穿現象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當管溫度（或環(huán)境溫度）上升時(shí)，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOS FET開(kāi)關(guān)管，當VGS控制電壓不變時(shí)，在250C溫度下IDS=3A，當芯片溫度升高為1000C時(shí)，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導致溝道電流IDS下降的負溫度電流特性，使之不會(huì )產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒(méi)有二次擊穿現象，可見(jiàn)采用MOS管作為開(kāi)關(guān)管，其開(kāi)關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機開(kāi)關(guān)電源采用MOS管代替過(guò)去的普通晶體三極管后，開(kāi)關(guān)管損壞率大大降低也是一個(gè)極好的證明。

4）、MOS管導通后其導通特性呈純阻性；

普通晶體三極管在飽和導通是，幾乎是直通，有一個(gè)極低的壓降，稱(chēng)為飽和壓降，既然有一個(gè)壓降，那么也就是；普通晶體三極管在飽和導通后等效是一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)等效的電阻是一個(gè)非線(xiàn)性的電阻（電阻上的電壓和流過(guò)的電流不能符合歐姆定律），而MOS管作為開(kāi)關(guān)管應用，在飽和導通后也存在一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)電阻等效一個(gè)線(xiàn)性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過(guò)的電流符合歐姆定律的關(guān)系，電流大壓降就大，電流小壓降就小，導通后既然等效是一個(gè)線(xiàn)性元件，線(xiàn)性元件就可以并聯(lián)應用，當這樣兩個(gè)電阻并聯(lián)在一起，就有一個(gè)自動(dòng)電流平衡的作用，所以MOS管在一個(gè)管子功率不夠的時(shí)候，可以多管并聯(lián)應用，且不必另外增加平衡措施（非線(xiàn)性器件是不能直接并聯(lián)應用的）。

MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上四項優(yōu)點(diǎn)，就足以使MOS管在開(kāi)關(guān)運用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V，只能作為開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)管應用，隨著(zhù)制造工藝的不斷進(jìn)步，VDS的不斷提高，取代顯像管電視機的行輸出管也是近期能實(shí)現的。

二、大功率MOS管灌流電路

1、MOS管作為開(kāi)關(guān)管應用的特殊驅動(dòng)電路；灌流電路

大功率MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開(kāi)關(guān)管應用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開(kāi)關(guān)激勵信號，實(shí)際上是在對這個(gè)電容進(jìn)行反復的充電、放電的過(guò)程，在充放電的過(guò)程中，使MOS管道導通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開(kāi)”與“關(guān)”的過(guò)程變慢，這是開(kāi)關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開(kāi)關(guān)管），如圖所示，在圖2-1中 A方波為輸入端的激勵波形，電阻R為激勵信號內阻，電容C為MOS管輸入端等效電容，激勵波形A加到輸入端是對等效電容C的充放電作用，使輸入端實(shí)際的電

壓波形變成B的畸變波形，導致開(kāi)關(guān)管不能正常開(kāi)關(guān)工作而損壞，解決的方法就是，只要R足夠的小，甚至沒(méi)有阻值，激勵信號能提供足夠的電流，就能使等效電容迅速的充電、放電，這樣MOS開(kāi)關(guān)管就能迅速的“開(kāi)”、“關(guān)”，保證了正常工作。由于激勵信號是有內阻的，信號的激勵電流也是有限度，我們在作為開(kāi)關(guān)管的MOS管的輸入部分，增加一個(gè)減少內阻、增加激勵電流的“灌流電路”來(lái)解決此問(wèn)題，如圖2-2所示。

在圖2-2中；在作為開(kāi)關(guān)應用的大功率MOS管Q3的柵極S和激勵信號之間增加Q1、Q2兩只開(kāi)關(guān)管，此兩只管均為普通的晶體三極管，兩只管接成串聯(lián)連接，Q1為NPN型Q2為PNP型，基極連接在一起（實(shí)際上是一個(gè)PNP、NPN互補的射極跟隨器），兩只管等效是兩只在方波激勵信號控制下輪流導通的開(kāi)關(guān)，如圖2-2-A、圖2-2-B

當激勵方波信號的正半周來(lái)到時(shí)；晶體三極管Q1（NPN）導通、Q2（PNP）截止，VCC經(jīng)過(guò)Q1導通對MOS開(kāi)關(guān)管Q3的柵極充電，由于Q1是飽和導通，VCC等效是直接加到MOS管Q3的柵極，瞬間充電電流極大，充電時(shí)間極短，保證了MOS開(kāi)關(guān)管Q3的迅速的“開(kāi)”，如圖2-2-A所示（圖2-2-A和圖2-2-B中的電容C為MOS管柵極S的等效電容）。

當激勵方波信號的負半周來(lái)到時(shí)；晶體三極管Q1（NPN）截止、Q2（PNP）導通，MOS開(kāi)關(guān)管Q3的柵極所充的電荷，經(jīng)過(guò)Q2迅速放電，由于Q2是飽和導通，放電時(shí)間極短，保證了MOS開(kāi)關(guān)管Q3的迅速的“關(guān)”，如圖2-2-B所示。

由于大功率MOS管在制造工藝上柵極S的引線(xiàn)的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導通時(shí)VCC對MOS管柵極S的瞬時(shí)充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電的電流值，在柵極充電的電路中串接一個(gè)適當的充電限流電阻R，如圖2-3-A所示。充電限流電阻R的阻值的選??；要根據MOS管的輸入電容的大小，激勵脈沖的頻率及灌流電路的VCC（VCC一般為12V）的大小決定一般在數十姆歐到一百歐姆之間。

由于充電限流電阻的增加，使在激勵方波負半周時(shí)Q2導通時(shí)放電的速度受到限制（充電時(shí)是VCC產(chǎn)生電流，放電時(shí)是柵極所充的電壓VGS產(chǎn)生電流，VGS遠遠小于VCC,R的存在大大的降低了放電的速率）使MOS管的開(kāi)關(guān)特性變壞，為了使R阻值在放電時(shí)不影響迅速放電的速率，在充電限流電阻R上并聯(lián)一個(gè)形成放電通路的二極管D，圖2-3-B所示。此二極管在放電時(shí)導通，在充電時(shí)反偏截止。這樣增加了充電限流電阻和放電二極管后，既保證了大功率MOS管的安全，又保證了MOS管，“開(kāi)”與“關(guān)”的迅速動(dòng)作。

2、另一種灌流電路

灌流電路的另外一種形式，對于某些功率較小的開(kāi)關(guān)電源上采用的MOS管往往采用了圖2-4-A的電路方式。

圖中 D為充電二極管，Q為放電三極管（PNP）。工作過(guò)程是這樣，當激勵方波正半周時(shí)，D導通，對MOS管輸入端等效電容充電(此時(shí)Q截止)，在當激勵方波負半周時(shí)，D截止，Q導通，MOS管柵極S所充電荷，通過(guò)Q放電，MOS管完成“開(kāi)”與“關(guān)”的動(dòng)作，如圖2-4-B所示。此電路由激勵信號直接“灌流”，激勵信號源要求內阻較低。該電路一般應用在功率較小的開(kāi)關(guān)電源上。

3、MOS管開(kāi)關(guān)應用必須設置泄放電阻

MOS管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)工作時(shí)；Q1、Q2是輪流導通，MOS管柵極是在反復充電、放電的狀態(tài)，如果在此時(shí)關(guān)閉電源，MOS管的柵極就有兩種狀態(tài)；一個(gè)狀態(tài)是；放電狀態(tài)，柵極等效電容沒(méi)有電荷存儲，一個(gè)狀態(tài)是；充電狀態(tài)，柵極等效電容正好處于電荷充滿(mǎn)狀態(tài)，圖2-5-A所示。雖然電源切斷，此時(shí)Q1、Q2也都處于斷開(kāi)狀態(tài)，電荷沒(méi)有釋放的回路，MOS管柵極的電場(chǎng)仍然存在（能保持很長(cháng)時(shí)間），建立導電溝道的條件并沒(méi)有消失。這樣在再次開(kāi)機瞬間，由于激勵信號還沒(méi)有建立，而開(kāi)機瞬間MOS管的漏極電源(VDS)隨機提供,在導電溝道的作用下，MOS管即刻產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流ID，引起MOS管燒壞。為了避免此現象產(chǎn)生，在MOS管的柵極對源極并接一只泄放電阻R1，如圖2-5-B所示，關(guān)機后柵極存儲的電荷通過(guò)R1迅速釋放，此電阻的阻值不可太大，以保證電荷的迅速釋放，一般在5K～數10K左右。

灌流電路主要是針對MOS管在作為開(kāi)關(guān)管運用時(shí)其容性的輸入特性，引起“開(kāi)”、“關(guān)”動(dòng)作滯后而設置的電路，當MOS管作為其他用途；例如線(xiàn)性放大等應用，就沒(méi)有必要設置灌流電路。

三、大功率MOS管開(kāi)關(guān)電路

實(shí)例應用電路分析

初步的了解了以上的關(guān)于大功率MOS管的一些知識后，一般的就可以簡(jiǎn)單的分析，采用MOS管開(kāi)關(guān)電源的電路了。

1、 三星等離子V2屏開(kāi)關(guān)電源PFC部分激勵電路分析；

圖3-1所示是三星V2屏開(kāi)關(guān)電源，PFC電源部分電原理圖，圖3-2所示是其等效電路框圖。

圖3-1所示；是三星V2屏等離子開(kāi)關(guān)電源的PFC激勵部分。從圖中可以看出；這是一個(gè)并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源L1是儲能電感，D10是這個(gè)開(kāi)關(guān)電源的整流二極管，Q1、Q2是開(kāi)關(guān)管，為了保證PFC開(kāi)關(guān)電源有足夠的功率輸出，采用了兩只MOS管Q1、Q2并聯(lián)應用（圖3-2所示；是該并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源等效電路圖，圖中可以看出該并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源是加在整流橋堆和濾波電容C5之間的），圖中Q3、Q4是灌流激勵管，Q3、Q4的基極輸入開(kāi)關(guān)激勵信號， VCC-S-R是Q3、Q4的VCC供電(22.5V)。兩只開(kāi)關(guān)管Q1、Q2的柵極分別有各自的充電限流電阻和放電二極管，R16是Q2的在激烈信號為正半周時(shí)的對Q2柵極等效電容充電的限流電阻，D7是Q2在激烈信號為負半周時(shí)的Q2柵極等效電容放電的放電二極管，同樣R14、D6則是Q1的充電限流電阻和放電的放電二極管。R17和R18是Q1和Q2的關(guān)機柵極電荷泄放電阻。D9是開(kāi)機瞬間浪涌電流分流二極管。

四、MOS管的防靜電保護

MOS管是屬于絕緣柵場(chǎng)效應管，柵極是無(wú)直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。早期生產(chǎn)的MOS管大都沒(méi)有防靜電的措施，所以在保管及應用上要非常小心，特別是功率較小的MOS管，由于功率較小的MOS管輸入電容比較小，接觸到靜電時(shí)產(chǎn)生的電壓較高，容易引起靜電擊穿。而近期的增強型大功率MOS管則有比較大的區別，首先由于功能較大輸入電容也比較大，這樣接觸到靜電就有一個(gè)充電的過(guò)程，產(chǎn)生的電壓較小，引起擊穿的可能較小，再者現在的大功率MOS管在內部的柵極和源極有一個(gè)保護的穩壓管DZ（圖4-1所示）,把靜電嵌位于保護穩壓二極管的穩壓值以下，有效的保護了柵極和源極的絕緣層，不同功率、不同型號的MOS管其保護穩壓二極管的穩壓值是不同的。雖然MOS管內部有了保護措施，我們操作時(shí)也應按照防靜電的操作規程進(jìn)行，這是一個(gè)合格的維修員應該具備的。

五、大功率MOS管的檢測與代換

在修理電視機及電器設備時(shí)，會(huì )遇到各種元器件的損壞，MOS管也在其中，這就是我們的維修人員如何利用常用的萬(wàn)用表來(lái)判斷MOS管的好壞、優(yōu)劣。在更換MOS管是如果沒(méi)有相同廠(chǎng)家及相同型號時(shí)，如何代換的問(wèn)題。

1、MOS管的測試

作為一般的電器電視機維修人員在測量晶體三極管或二極管時(shí)，一般是采用普通的萬(wàn)用表來(lái)判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對所判斷的三極管或二極管的電氣參數沒(méi)法確認，但是只要方法正確對于確認晶體三極管的“好”與“壞”還是沒(méi)有問(wèn)題的。同樣MOS管也可以應用萬(wàn)用表來(lái)判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來(lái)說(shuō)，也可以滿(mǎn)足需求了。

檢測必須采用指針式萬(wàn)用表（數字表是不適宜測量半導體器件的）。對于大功率MOS管開(kāi)關(guān)管都屬N溝道增強型，各生產(chǎn)廠(chǎng)的產(chǎn)品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式（指用于開(kāi)關(guān)電源中功率為50—200W的場(chǎng)效應開(kāi)關(guān)管），其三個(gè)電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號面向自巳，左側引腳為柵極，右測引腳為源極，中間引腳為漏極如圖5-1所示。

1）萬(wàn)用表及相關(guān)的準備：

首先在測量前應該會(huì )使用萬(wàn)用表，特別是歐姆檔的應用，要了解歐姆擋才會(huì )正確應用歐姆擋來(lái)測量晶體三極管及大功率MOS管（現在很多的從事修理人員，不會(huì )使用萬(wàn)用表，特別是萬(wàn)用表的歐姆擋，這絕不是危言聳聽(tīng)，問(wèn)問(wèn)他？他知道歐姆擋的R×1 R×10 R×100 R×1K R×10K，在表筆短路時(shí)，流過(guò)表筆的電流分別有多大嗎？這個(gè)電流就是流過(guò)被測元件的電流。他知道歐姆擋在表筆開(kāi)路時(shí)表筆兩端的電壓有多大嗎？這就是在測量時(shí)被測元件在測量時(shí)所承受的電壓）關(guān)于正確使用萬(wàn)用表歐姆擋的問(wèn)題，可以參閱可以參閱“您會(huì )用萬(wàn)用表的歐姆擋測量二極管、三極管嗎？”“可以參閱本博客“您會(huì )用萬(wàn)用表的歐姆擋測量二極管、三極管嗎？”一文，因篇幅問(wèn)題這里不再贅述。

用萬(wàn)用表的歐姆擋的歐姆中心刻度不能太大，最好小于12Ω（500型表為12Ω），這樣在R×1擋可以有較大的電流，對于PN結的正向特性判斷比較準確。萬(wàn)用表R×10K擋內部的電池最好大于9V，這樣在測量PN結反相漏電流時(shí)比較準確，否則漏電也測不出來(lái)。

現在由于生產(chǎn)工藝的進(jìn)步，出廠(chǎng)的篩選、檢測都很?chē)栏?，我們一般判斷只要判斷MOS管不漏電、不擊穿短路、內部不斷路、能放大就可以了，方法極為簡(jiǎn)單：

采用萬(wàn)用表的R×10K擋；R×10K擋內部的電池一般是9V加1.5V達到10.5V這個(gè)電壓一般判斷PN結點(diǎn)反相漏電是夠了，萬(wàn)用表的紅表筆是負電位（接內部電池的負極），萬(wàn)用表的黑表筆是正電位（接內部電池的正極），圖5-2所示。

2）測試步驟

把紅表筆接到MOS管的源極S；把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時(shí)表針指示應該為無(wú)窮大，如圖5-3所示。如果有歐姆指數，說(shuō)明被測管有漏電現象，此管不能用。

保持上述狀態(tài)；此時(shí)用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如圖5-4所示；這時(shí)表針指示歐姆數應該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時(shí)是正電荷通過(guò)100K電阻對大功率MOS管柵極充電，產(chǎn)生柵極電場(chǎng)，由于電場(chǎng)產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通，所以萬(wàn)用表指針偏轉，偏轉的角度大（歐姆指數?。┳C明放電性能好。

此時(shí)在圖5-4的狀態(tài)；再把連接的電阻移開(kāi)，這時(shí)萬(wàn)用表的指針仍然應該是MOS管導通的指數不變，如圖5-5所示。雖然電阻拿開(kāi)，但是因為電阻對柵極所充的電荷并沒(méi)有消失，柵極電場(chǎng)繼續維持，內部導電溝道仍然保持，這就是絕緣柵型MOS管的特點(diǎn)。如果電阻拿開(kāi)表針會(huì )慢慢的逐步的退回到高阻甚至退回到無(wú)窮大，要考慮該被測管柵極漏電。

這時(shí)用一根導線(xiàn)，連接被測管的柵極和源極，萬(wàn)用表的指針立即返回到無(wú)窮大，如圖5-6所示。導線(xiàn)的連接使被測MOS管，柵極電荷釋放，內部電場(chǎng)消失；導電溝道也消失，所以漏極和源極之間電阻又變成無(wú)窮大。

2、MOS管的更換

在修理電視機及各種電器設備時(shí)，遇到元器件損壞應該采用相同型號的元件進(jìn)行更換。但是，有時(shí)相同的元件手邊沒(méi)有，就要采用其他型號的進(jìn)行代換，這樣就要考慮到各方面的性能、參數、外形尺寸等，例如電視的里面的行輸出管，只要考慮耐壓、電流、功率一般是可以進(jìn)行代換的（行輸出管外觀(guān)尺寸幾乎相同），而且功率往往大一些更好。對于MOS管代換雖然也是這一原則，最好是原型號的最好，特別是不要追求功率要大一些，因為功率大；輸入電容就大，換了后和激勵電路就不匹配了，激勵灌流電路的充電限流電阻的阻值的大小和MOS管的輸入電容是有關(guān)系的，選用功率大的盡管容量大了，但輸入電容也就大了，激勵電路的配合就不好了，這反而會(huì )使MOS管的開(kāi)、關(guān)性能變壞。所示代換不同型號的MOS管，要考慮到其輸入電容這一參數。例如有一款42寸液晶電視的背光高壓板損壞，經(jīng)過(guò)檢查是內部的大功率MOS管損壞，因為無(wú)原型號的代換，就選用了一個(gè)，電壓、電流、功率均不小于原來(lái)的MOS管替換，結果是背光管出現連續的閃爍（啟動(dòng)困難），最后還是換上原來(lái)一樣型號的才解決問(wèn)題。

檢測到MOS管損壞后，更換時(shí)其周邊的灌流電路的元件也必須全部更換，因為該MOS管的損壞也可能是灌流電路元件的欠佳引起MOS管損壞。即便是MOS管本身原因損壞，在MOS管擊穿的瞬間，灌流電路元件也受到傷害，也應該更換。就像我們有很多高明的維修師傅在修理A3開(kāi)關(guān)電源時(shí)；只要發(fā)現開(kāi)關(guān)管擊穿，就也把前面的2SC3807激勵管一起更換一樣道理（盡管2SC3807管，用萬(wàn)用表測量是好的）。

五、大功率MOS管燒毀的原因

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導通的過(guò)渡過(guò)程）、導通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止狀態(tài)。

Mos主要損耗也對應這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會(huì )正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導通狀態(tài)損耗（不同mos這個(gè)差距可能很大)。

MOS損壞主要原因

過(guò)流----------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過(guò)高而燒毀；

過(guò)壓----------源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿；

靜電----------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電；

Mos開(kāi)關(guān)原理（簡(jiǎn)要）。Mos是電壓驅動(dòng)型器件，只要柵極和源級間給一個(gè)適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻。這個(gè)內阻大小基本決定了mos芯片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發(fā)熱?。?。

Mos問(wèn)題遠沒(méi)這么簡(jiǎn)單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內部都有等效電容。所以給柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程（電容電壓不能突變），所以mos源級和漏級間由截止到導通的開(kāi)通過(guò)程受柵極電容的充電過(guò)程制約。

然而，這三個(gè)等效電容是構成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨立的，如果獨立的就很簡(jiǎn)單了。其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是柵極和漏級間的電容Cgd，這個(gè)電容業(yè)界稱(chēng)為米勒電容。這個(gè)電容不是恒定的，隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個(gè)米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石，因為柵極給柵-源電容Cgs充電達到一個(gè)平臺后，柵極的充電電流必須給米勒電容Cgd充電，這時(shí)柵極和源級間電壓不再升高，達到一個(gè)平臺，這個(gè)是米勒平臺（米勒平臺就是給Cgd充電的過(guò)程），米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給Cgs充電，到達一定平臺后再給Cgd充電）

因為這個(gè)時(shí)候源級和漏級間電壓迅速變化，內部電容相應迅速充放電，這些電流脈沖會(huì )導致mos寄生電感產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問(wèn)題就是這個(gè)米勒平臺如何過(guò)渡。

Gs極加電容，減慢mos管導通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止mos管燒毀。

過(guò)快的充電會(huì )導致激烈的米勒震蕩，但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩，但會(huì )延長(cháng)開(kāi)關(guān)從而增加開(kāi)關(guān)損耗。Mos開(kāi)通過(guò)程源級和漏級間等效電阻相當于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導通內阻（導通內阻一般低壓mos只有幾毫歐姆）的一個(gè)轉變過(guò)程。比如一個(gè)mos最大電流100a，電池電壓96v，在開(kāi)通過(guò)程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺時(shí)）mos發(fā)熱功率是P=V*I(此時(shí)電流已達最大，負載尚未跑起來(lái)，所有的功率都降落在MOS管上)，P=96*100=9600w！這時(shí)它發(fā)熱功率最大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到完全導通時(shí)功率變成100*100*0.003=30w（這里假設這個(gè)mos導通內阻3毫歐姆）。開(kāi)關(guān)過(guò)程中這個(gè)發(fā)熱功率變化是驚人的。

如果開(kāi)通時(shí)間慢，意味著(zhù)發(fā)熱從9600w到30w過(guò)渡的慢，mos結溫會(huì )升高的厲害。所以開(kāi)關(guān)越慢，結溫越高，容易燒mos。為了不燒mos，只能降低mos限流或者降低電池電壓，比如給它限制50a或電壓降低一半成48v，這樣開(kāi)關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開(kāi)關(guān)損耗不一樣（開(kāi)關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設限流一樣），導通損耗完全受mos內阻決定，和電池電壓沒(méi)任何關(guān)系。

其實(shí)整個(gè)mos開(kāi)通過(guò)程非常復雜。里面變量太多?？傊褪情_(kāi)關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開(kāi)關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開(kāi)關(guān)速度快理論上開(kāi)關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很?chē)乐?，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開(kāi)關(guān)損耗也大，并且上臂mos震蕩更有可能引起下臂mos誤導通，形成上下臂短路。所以這個(gè)很考驗設計師的驅動(dòng)電路布線(xiàn)和主回路布線(xiàn)技能。最終就是找個(gè)平衡點(diǎn)（一般開(kāi)通過(guò)程不超過(guò)1us）。開(kāi)通損耗這個(gè)最簡(jiǎn)單，只和導通電阻成正比，想大電流低損耗找內阻低的。

下面介紹下對普通用戶(hù)實(shí)用點(diǎn)的。

Mos挑選的重要參數簡(jiǎn)要說(shuō)明。以datasheet舉例說(shuō)明。

柵極電荷。Qgs, Qgd  Qgs:指的是柵極從0v充電到對應電流米勒平臺時(shí)總充入電荷（實(shí)際電流不同，這個(gè)平臺高度不同，電流越大，平臺越高，這個(gè)值越大）。這個(gè)階段是給Cgs充電（也相當于Ciss，輸入電容）。  Qgd:指的是整個(gè)米勒平臺的總充電電荷（在這稱(chēng)為米勒電荷）。這個(gè)過(guò)程給Cgd（Crss，這個(gè)電容隨著(zhù)gd電壓不同迅速變化）充電。

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