500V9A KIA4750S資料 MOS管-應用程序 適配器 充電器 smp備用電源 特性 通...500V9A KIA4750S資料 MOS管-應用程序 適配器 充電器 smp備用電源 特性 通過(guò)無(wú)鉛認證 RDS(on)= 0.7Ω@VGS= 10 V 低柵電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化 快速恢復體二極...
跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值...跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個(gè)很容易做到,但是,我們還需要速度。在MOS管的結構中可以看到,在G...
功率半導體器件在工業(yè) 、消費 、軍事等領(lǐng)域都有著(zhù)廣泛應用 ,具有很高的戰略地...功率半導體器件在工業(yè) 、消費 、軍事等領(lǐng)域都有著(zhù)廣泛應用 ,具有很高的戰略地位,下面我們從一張圖看功率器件的全貌:功率半導體器件又可根據對電路信號的控程度...
500V5A??MOS管參數 KIA5N50H產(chǎn)品特征 RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合Ro...500V5A??MOS管參數 KIA5N50H產(chǎn)品特征 RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合RoHS標準的 低導通電阻 低柵電荷
MOS管的構造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上,用半導體光刻、擴散工藝...MOS管的構造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上,用半導體光刻、擴散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的 N+區,并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。然后...
MOS管400V10A KNX6140A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專(zhuān)有平面新技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=0.35Ω...MOS管400V10A KNX6140A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專(zhuān)有平面新技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=0.35Ω@VGS=10V 3、低門(mén)電荷減小開(kāi)關(guān)損耗 4、快恢復體二極管