出現(xiàn)死區(qū)的主要原因是因?yàn)镸OS管的源極和柵極之間的結(jié)電容。現(xiàn)在在柵極加上一個(gè)...出現(xiàn)死區(qū)的主要原因是因?yàn)镸OS管的源極和柵極之間的結(jié)電容。現(xiàn)在在柵極加上一個(gè)門電路。當(dāng)門電路輸出的信號(hào)跳變的瞬間,電流是非常大的,會(huì)導(dǎo)致MOS管發(fā)熱,所以需要...
低內(nèi)阻MOS管 KIA3506A 60V70A產(chǎn)品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專...低內(nèi)阻MOS管 KIA3506A 60V70A產(chǎn)品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專為電動(dòng)自行車控制器應(yīng)用而設(shè)計(jì) 超低電阻 高UIS和UIS 100%測(cè)試
MOS管封裝失效原因 封裝,顧名思義是將集成電路包封起來,達(dá)到與外加隔離的目...MOS管封裝失效原因 封裝,顧名思義是將集成電路包封起來,達(dá)到與外加隔離的目的。在工程師的日常工作當(dāng)中,時(shí)不時(shí)會(huì)遇到一些MOS管封裝失效,本文總結(jié)了一些失效的...
常用小功率 低壓MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度溝槽N型MOSFETS,具有優(yōu)...常用小功率 低壓MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度溝槽N型MOSFETS,具有優(yōu)良的RDSON性能。和柵極充電為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用。KIA8606滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)和綠...
KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet,為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵...KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet,為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵極電荷,KNX7606A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求。KIA半導(dǎo)體產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)良,KIA半導(dǎo)體執(zhí)行的...
保護(hù)板專用MOS管40V100A KNX3204A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、RDS(ON),typ=4mΩ@VGS=10V 2、...保護(hù)板專用MOS管40V100A KNX3204A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、RDS(ON),typ=4mΩ@VGS=10V 2、專有新溝槽技術(shù) 3、低門電荷減小開關(guān)損耗 4、快恢復(fù)體二極管