中國半導體器件型號命名方法 一、 半導體器件型號由五部分(場(chǎng)效應器件、半導...中國半導體器件型號命名方法 一、 半導體器件型號由五部分(場(chǎng)效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)...
SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力...SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強,在熱、化學(xué)、機械方面都非常穩定。SiC存在各種多型體(多晶型體),它們的物...
KIA20N50H 500V20A規格書(shū) 參數? 1、KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)...KIA20N50H 500V20A規格書(shū) 參數? 1、KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高功率MOSFET設計的電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源等。有源功率因數校...
下面針對反激電源實(shí)測波形來(lái)分析一下。問(wèn)題一:一反激電源實(shí)測Ids電流時(shí)前端有...下面針對反激電源實(shí)測波形來(lái)分析一下。問(wèn)題一:一反激電源實(shí)測Ids電流時(shí)前端有一個(gè)尖峰(如下圖紅色圓圈里的尖峰圖),這個(gè)尖峰到底是什么原因引起的?怎么來(lái)消除或者...
MOS管KIA18N50H概述 KIA18N50H 是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設...MOS管KIA18N50H概述 KIA18N50H 是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計的。電壓、高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效開(kāi)關(guān)電源,功率因數校正。
KIA品牌MOS管KNX6650A增強型硅柵功率MOSFET是為高壓設計的。高速功率開(kāi)關(guān)應用,...KIA品牌MOS管KNX6650A增強型硅柵功率MOSFET是為高壓設計的。高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,有源,開(kāi)關(guān)電源等。基于半橋拓撲的功率因數校正電子燈鎮流器。