反激電源是最常用的拓?fù)渲弧F渥儔浩髀└谐?huì)引起原邊振鈴,并導(dǎo)致會(huì)損壞 MO...反激電源是最常用的拓?fù)渲弧F渥儔浩髀└谐?huì)引起原邊振鈴,并導(dǎo)致會(huì)損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此,通過(guò)變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計(jì)來(lái)控制振鈴非常重要。
數(shù)據(jù)表中,功率MOSFET有不同的熱阻值,數(shù)據(jù)表中的熱阻都是在一定的條件下測(cè)試的...數(shù)據(jù)表中,功率MOSFET有不同的熱阻值,數(shù)據(jù)表中的熱阻都是在一定的條件下測(cè)試的。MOSFET反并聯(lián)二極管相當(dāng)于一個(gè)溫度傳感器,一定的溫度對(duì)應(yīng)著一定的二極管的壓降。...
靜電可以定義為累積在材料表面的固定電荷。靜電荷之間的相互作用(稱(chēng)為靜電)導(dǎo)...靜電可以定義為累積在材料表面的固定電荷。靜電荷之間的相互作用(稱(chēng)為靜電)導(dǎo)致兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題:靜電過(guò)應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)。靜電可以定義為累積在材料表...
靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多數(shù)的電子元件或電子系統(tǒng)受到...靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多數(shù)的電子元件或電子系統(tǒng)受到過(guò)度電性應(yīng)力(Electrical Overstress EOS)破壞的主要因素。這種破壞會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體元...
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常...MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電...
MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G、...MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G、S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。