選擇一款正確的MOS管,可以很好地控制生產(chǎn)制造成本,最為重要的是,為產(chǎn)品匹配...選擇一款正確的MOS管,可以很好地控制生產(chǎn)制造成本,最為重要的是,為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷@在產(chǎn)品未來(lái)的使用過程中,將會(huì)充分發(fā)揮其“螺絲釘”的作用...
誤啟動(dòng)是因MOSFET的各柵極電容(CGD,CGS)和RG引起的現(xiàn)象,在串聯(lián)2個(gè)MOSFET的橋...誤啟動(dòng)是因MOSFET的各柵極電容(CGD,CGS)和RG引起的現(xiàn)象,在串聯(lián)2個(gè)MOSFET的橋式電路中,當(dāng)位于開關(guān)側(cè)的MOSFET導(dǎo)通(Turn-on)時(shí),在原本為OFF狀態(tài)的續(xù)流側(cè)MOSFE...
為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性,我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFE...為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性,我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET(以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”),我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行...
N溝道m(xù)os管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0...N溝道m(xù)os管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0A VDS =20V,RDS(on) =0.090Ω@VGS =2.5V,ID =2.0A
在28nm以下,由于最大器件長(zhǎng)度限制,模擬設(shè)計(jì)人員經(jīng)常要對(duì)多個(gè)短長(zhǎng)度的MOSFET串...在28nm以下,由于最大器件長(zhǎng)度限制,模擬設(shè)計(jì)人員經(jīng)常要對(duì)多個(gè)短長(zhǎng)度的MOSFET串聯(lián)來(lái)創(chuàng)建長(zhǎng)溝道的器件。這些串聯(lián)連接的器件通常被稱為堆疊MOSFET或堆疊器件。
輸入失調(diào)電壓Vos(Voltage - Input Offset),指的是為使運(yùn)算放大器輸出端為0V所...輸入失調(diào)電壓Vos(Voltage - Input Offset),指的是為使運(yùn)算放大器輸出端為0V所需加于兩輸入端間之補(bǔ)償電壓。理想之運(yùn)算放大器其Vos應(yīng)該為0V。