MOSFET雙脈沖測(cè)試分析MOSFET反向恢復(fù)特性-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-03-23
為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行了比較。
先來看具有快速恢復(fù)特性的SJ MOSFET R6030JNZ4（PrestoMOS?）和具有通常特性的SJ MOSFET R6030KNZ4的試驗(yàn)結(jié)果。除了反向恢復(fù)特性之外，這些SJ MOSFET的電氣規(guī)格基本相同，在試驗(yàn)中，將Q1和Q2分別替換為不同的SJ MOSFET。
圖1為上次給出的工作③的導(dǎo)通時(shí)的ID_L波形，圖2為導(dǎo)通損耗Eon_L的波形。
圖1：快速反向恢復(fù)型PrestoMOS?和普通型SJ MOSFET的漏極電流ID_L的波形
圖2：快速反向恢復(fù)型PrestoMOS?和普通型SJ MOSFET的功率損耗Eon_L的波形
從圖1可以看出，快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4（PrestoMOS?）的Q1的反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷Qrr要比普通型R6030KNZ4小得多。
從圖2可以看出，Qrr較大的普通型MOSFET的導(dǎo)通損耗Eon_L要比快速反向恢復(fù)型大，可見當(dāng)Q1的Qrr變大時(shí)，開關(guān)損耗就會(huì)增加。
接下來請(qǐng)看相同條件下快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4（PrestoMOS?）和另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET之間的比較結(jié)果。圖3為與圖1同樣的ID_L波形比較，圖4為與圖2同樣的Eon_L比較。
圖3：快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4和另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET的漏極電流ID_L的波形
圖4：快速反向恢復(fù)型R6030JNZ4和另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET的功率損耗Eon_L的波形
如圖3所示，與另一種快速反向恢復(fù)型SJ MOSFET相比，R6030JNZ4（PrestoMOS?）的Irr和Qrr更小，因此ID_L的峰值較小，如圖4所示，其結(jié)果是Eon_L較小。
從這些結(jié)果可以看出，將MOSFET體二極管特性中的反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)電荷Qrr控制在較小水平的MOSFET，其導(dǎo)通損耗Eon_L較小。這一點(diǎn)對(duì)快速反向恢復(fù)型之間進(jìn)行比較也是同樣的結(jié)論。
所以，在設(shè)計(jì)過程中，要想降低損耗時(shí)，需要通過這樣的方法對(duì)MOSFET的反向恢復(fù)特性進(jìn)行評(píng)估，并選擇最適合的MOSFET。
最后，提一個(gè)注意事項(xiàng)：在本次研究中，設(shè)定的前提是具有快速反向恢復(fù)特性的MOSFET是可以降低損耗的，但在某些情況下，具有快速反向恢復(fù)特性的MOSFET是無法降低導(dǎo)通損耗的。其原因之一是誤啟動(dòng)現(xiàn)象。這是由MOSFET的柵極電容引起的現(xiàn)象。
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