普通6V低電壓橋式整流電源,在整流二極管內阻上的電壓降往往占去了輸入電壓的2...普通6V低電壓橋式整流電源,在整流二極管內阻上的電壓降往往占去了輸入電壓的25%,即有1.5V的電壓降損耗。采用肖特基快速二極管雖然可以減少50%的損耗,但仍然不...
場(chǎng)效應管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點(diǎn),而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效...場(chǎng)效應管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點(diǎn),而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應管具有雙向對稱(chēng)性,即場(chǎng)效應管的源極和漏極是可以互換的(無(wú)阻尼),一般的晶體管...
開(kāi)關(guān)比的定義:開(kāi)關(guān)比是反應器件對電流的調控能力的,定義為器件開(kāi)狀態(tài)電流與關(guān)...開(kāi)關(guān)比的定義:開(kāi)關(guān)比是反應器件對電流的調控能力的,定義為器件開(kāi)狀態(tài)電流與關(guān)狀態(tài)電流的比值。場(chǎng)效應晶體管中,在源、漏電壓不變的情況下,加門(mén)壓和不加門(mén)壓時(shí)測...
場(chǎng)效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。主要有兩種類(lèi)...場(chǎng)效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。主要有兩種類(lèi)型(juncTIonFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應管(metal-oxidesemiconductorF...
MOS管電流源驅動(dòng)原理分析:在傳統電壓源驅動(dòng)方式下,開(kāi)關(guān)管VT門(mén)極電容充電的過(guò)...MOS管電流源驅動(dòng)原理分析:在傳統電壓源驅動(dòng)方式下,開(kāi)關(guān)管VT門(mén)極電容充電的過(guò)程中,充電電流、Cin 兩端電壓Ugs變化如圖1所示,to時(shí)刻門(mén)極平均電流Ig達到峰值Ugat...
信號發(fā)生電路比較簡(jiǎn)單,主要是產(chǎn)生兩路帶死區互補的方波信號,一定要互補帶死區...信號發(fā)生電路比較簡(jiǎn)單,主要是產(chǎn)生兩路帶死區互補的方波信號,一定要互補帶死區的方波信號,否則會(huì )造成MOS/IGBT誤導通,造成MOS/IGBT管損壞。常見(jiàn)的信號發(fā)生電路有...