MOS管電流源驅動(dòng)原理分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-03-18
本文采用電流源方式驅動(dòng)電路，研究電流源驅動(dòng)條件下的MOS管開(kāi)關(guān)特性，對驅動(dòng)電路進(jìn)行了細致分析。
MOS管電流源驅動(dòng)原理分析：
在傳統電壓源驅動(dòng)方式下，開(kāi)關(guān)管VT門(mén)極電容充電的過(guò)程中，充電電流、Cin 兩端電壓Ugs變化如圖1所示；
to時(shí)刻門(mén)極平均電流Ig達到峰值Ugate / RG，隨后快速下降，在t1~t2時(shí)刻由于發(fā)生miller電容效應，Ugs不變，此時(shí)電流i可近似看成常數。
這段時(shí)間miller電容效應明顯，隨著(zhù)IG的減小，驅動(dòng)能力減弱，導致開(kāi)關(guān)時(shí)間長(cháng)、開(kāi)關(guān)損耗大。
為了減少miller電容效應，若在開(kāi)關(guān)管門(mén)極電容充電的過(guò)程中，保持充電電流不變，如圖2所示；
(圖中Ipl-on、Ipl-off分別表示開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)米勒平臺電流，Ith-on、Ith-off分別表示開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)刻的門(mén)檻電流)，則開(kāi)關(guān)時(shí)間將縮短，開(kāi)關(guān)損耗降低。
基于這種思想，本文采用了電流源驅動(dòng)電路，通過(guò)特定的驅動(dòng)方式，在MOS管開(kāi)啟和關(guān)斷時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)近似恒流的電源給其供電，縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，達到減少開(kāi)關(guān)損耗的目的。
由式(1 )知開(kāi)關(guān)損耗與開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間、開(kāi)關(guān)頻率成正比。
其中，uDS和iDS分別為漏源電壓和電流；tr和tf分別為開(kāi)關(guān)過(guò)程中的上升和下降時(shí)間。
電流源驅動(dòng)的目的是為減少開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間，使開(kāi)關(guān)電源在高頻下工作時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗比傳統驅動(dòng)大幅降低。
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