MOS管 IGBT|全橋驅動(dòng)電路-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-03-18
本文介紹了全橋逆變電路的整個(gè)驅動(dòng)部分。
信號發(fā)生電路：
信號發(fā)生電路比較簡(jiǎn)單，主要是產(chǎn)生兩路帶死區互補的方波信號，一定要互補帶死區的方波信號，否則會(huì )造成MOS/IGBT誤導通，造成MOS/IGBT管損壞。
常見(jiàn)的信號發(fā)生電路有單片機、FPGA等處理芯片控制，也可以使用信號發(fā)生專(zhuān)用芯片控制兩路信號的產(chǎn)生，如UCC3895。
信號隔離電路：
全橋驅動(dòng)電路-由于全橋逆變電路中的高壓極易通過(guò)驅動(dòng)電路對控制電路的低壓形成干擾，故驅動(dòng)信號和MOSFET的連接需要進(jìn)行電氣上的隔離，采用變壓器隔離和光耦隔離是最常見(jiàn)的方式。
其中光耦隔離操作簡(jiǎn)單，是經(jīng)常使用的隔離方式。綜合考慮實(shí)驗要求、材料性能、性?xún)r(jià)比、制作成本等因素，選擇光耦6N137作為隔離器件。
6N137工作的頻率可以高達10MHz，輸出的導通時(shí)間為50ns，關(guān)斷時(shí)間為12ns，可起到隔離強電和弱電的作用。
全橋驅動(dòng)電路：
信號發(fā)生電路產(chǎn)生的控制信號電流小，幅值低，無(wú)法使MOS管快速導通和關(guān)斷，因此需要MOS驅動(dòng)器對信號進(jìn)行放大，增大其功率，使其能夠快速導通關(guān)斷MOS管。
在全橋逆變電路中如果用只能驅動(dòng)單個(gè)MOS管的常規驅動(dòng)器，需要四個(gè)，會(huì )增大電路的面積，使電路變得臃腫。
IR2110（最高頻率500KHz）的高端懸浮自舉電源的設計，可以大大減少驅動(dòng)電源的數目，即一組電源即可實(shí)現對上下端的控制。
IR2110兩個(gè)輸入端接6N137輸出的兩路控制信號。HO與VS分別接在MOS管Q3的柵極與源極，構成自舉電路，用來(lái)驅動(dòng)上半橋的二極管；LO接在MOS管Q4的柵極，用來(lái)驅動(dòng)下半橋的MOS管。
最后附上硬件電路圖：
其中輸入是帶死區互補的兩路方波信號，輸出控制全橋逆變電路的四個(gè)MOS管或IGBT管。
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