1、功耗低MOS管集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)...1、功耗低MOS管集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導(dǎo)通,另一個管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上,由于...
MOS管版圖:繪制NMOS管的步驟與PMOS管基本相同(新建一個名為NMOS的Ccll)。不同...MOS管版圖:繪制NMOS管的步驟與PMOS管基本相同(新建一個名為NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做在P型襯底上,要有一個N型注入層,這一層要覆蓋整個有源區(qū)。同樣,為進(jìn)行源...
PMOS低電平驅(qū)動-驅(qū)動電路解析:三極管和MOS管的基本特性-三極管是電流控制電流...PMOS低電平驅(qū)動-驅(qū)動電路解析:三極管和MOS管的基本特性-三極管是電流控制電流器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管(簡稱P型三極管)和PNP型...
MOS管源極和漏極的區(qū)別:在MOS管結(jié)構(gòu)示意圖中,我們可以看出左右是對稱的,難免...MOS管源極和漏極的區(qū)別:在MOS管結(jié)構(gòu)示意圖中,我們可以看出左右是對稱的,難免會有人問怎么區(qū)分源極和漏極呢?其實(shí)原理上,源極和漏極確實(shí)是對稱的,是不區(qū)分的。...
焊機(jī)IGBT和MOS管的區(qū)別:當(dāng)我們拿到一個焊機(jī)不知道內(nèi)部電路中是IGBT模塊還是MO...焊機(jī)IGBT和MOS管的區(qū)別:當(dāng)我們拿到一個焊機(jī)不知道內(nèi)部電路中是IGBT模塊還是MOS管時,可以用下面的兩種方法來區(qū)別它們:1.看原件外部的型號代碼,上網(wǎng)搜索型號就可...
續(xù)流是理性元器件釋放出來電磁能的基礎(chǔ)方式之一,簡易地說,續(xù)流便是讓電感的電...續(xù)流是理性元器件釋放出來電磁能的基礎(chǔ)方式之一,簡易地說,續(xù)流便是讓電感的電流量堅持下去,而不是忽然變成0。比如在繼電器線圈兩邊反方向接的那一個二極管或單...