快速掌握MOS管源極和漏極的區別-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-03-10
在MOS管結構示意圖中，我們可以看出左右是對稱(chēng)的，難免會(huì )有人問(wèn)怎么區分源極和漏極呢？其實(shí)原理上，源極和漏極確實(shí)是對稱(chēng)的，是不區分的。
但在實(shí)際應用中，廠(chǎng)家一般在源極和漏極之間連接一個(gè)二極管，起保護作用，正是這個(gè)二極管決定了源極和漏極，這樣，封裝也就固定了，便于實(shí)用。
一、指代不同
1、源極：簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。
2、漏極：利用外部電路的驅動(dòng)能力，減少I(mǎi)C內部的驅動(dòng)，或驅動(dòng)比芯片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(用P+表示)，就形成兩個(gè)不對稱(chēng)的P+N結。把兩個(gè)P+區并聯(lián)在一起，引出一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極(g)，在N型半導體的兩端各引出一個(gè)電極。
2、漏極：將兩個(gè)P區的引出線(xiàn)連在一起作為一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極，在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極。
MOS管的定義：我們都在知道場(chǎng)效應管的結構是在一塊N型半導體的兩邊利用雜質(zhì)擴散出高濃度的P型區域，其用P+表示，形成兩個(gè)P+N結。
而N型半導體的兩端引出兩個(gè)電極，分別稱(chēng)為漏極D和源極S。把兩邊的P區引出電極并連在一起稱(chēng)為柵極G。如果在漏、源極間加上正向電壓，N區中的多子(也就是電子)可以導電。
它們從源極S出發(fā)， 流向漏極D。電流方向由D指向S，稱(chēng)為漏極電流ID。由于導電溝道是N型的，所以稱(chēng)為N溝道結型場(chǎng)效應管。場(chǎng)效應管(包括結型和絕緣柵型)的漏極與源極通常制成對稱(chēng)的，漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場(chǎng)效應管在制造產(chǎn)品 時(shí)已把源極和襯底連接在一起了 ，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個(gè)管腳，形成四個(gè)管腳。一般情況P襯底接低電位，N襯底接高電位。
對于絕緣柵NMOS管，接高壓為漏端，接低壓為源端。PMOS剛好相反。從原理上，NMOS載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱(chēng)源端，PMOS載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱(chēng)源端。
MOS管源極、柵極之間的電阻：
一是為場(chǎng)效應管提供偏置電壓；
二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S；
保護柵極G-源極S：
場(chǎng)效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉，兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極；
這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場(chǎng)效應管的作用。
具體的例子：MOS管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)工作時(shí)，Q1、Q2是輪流導通，MOS管柵極在反復充、放電狀態(tài)，如果在此時(shí)關(guān)閉電源，MOS管的柵極就有兩種狀態(tài)：
一種是放電狀態(tài)，柵極等效電容沒(méi)有電荷存儲；另一個(gè)是充電狀態(tài)，柵極等效電容正好處于電荷充滿(mǎn)狀態(tài)，如下圖a所示。
雖然電源切斷，此時(shí)Q1、Q2也都處于斷開(kāi)狀態(tài)，電荷沒(méi)有釋放的回路，但MOS管柵極的電場(chǎng)仍然存在（能保持很長(cháng)時(shí)間），建立導電溝道的條件并沒(méi)有消失。
這樣在再次開(kāi)機瞬間，由于激勵信號還沒(méi)有建立，而開(kāi)機瞬間MOS管的漏極電源（V1）隨機提供，在導電溝道的作用下，MOS管立刻產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流Id，引起MOS管燒壞。
為了避免此現象產(chǎn)生，在MOS管的柵極對源極并接一只泄放電阻R1，如下圖b所示，關(guān)機后柵極存儲的電荷通過(guò)R1迅速釋放，此電阻的阻值不可太大，以保證電荷的迅速釋放，一般在五千歐至數十千歐左右。
灌流電路主要是針對MOS管在作為開(kāi)關(guān)營(yíng)運用時(shí)其容性的輸入特性，引起“開(kāi)”、“關(guān)”動(dòng)作滯后而設置的電路，當MOS管作為其他用途，例如線(xiàn)性放大等應用時(shí)，就沒(méi)有必要設置灌流電路。
R38電阻的作用是：
一：減緩Rds從無(wú)窮大到Rds(on)(一般0.1歐姆或者更低)。
二：若不加R38電阻，高壓情況下便會(huì )因為mos管開(kāi)關(guān)速率過(guò)快而導致周?chē)骷粨舸?/span>
但R38電阻過(guò)大則會(huì )導致MOS管的開(kāi)關(guān)速率變慢，Rds從無(wú)窮大到Rds（on）的需要經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，高壓下Rds會(huì )消耗大量的功率，而導致mos管發(fā)熱異常。
R42電阻的作用是：
一：作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至擊穿mos管（因為只要有少量的靜電便會(huì )使mos管的G-S極間的等效電容產(chǎn)生很高的電壓），起到了保護mos管的作用。
二：為mos管提供偏置電壓。
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