場(chǎng)效應(yīng)管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點(diǎn),而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效...場(chǎng)效應(yīng)管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點(diǎn),而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管具有雙向?qū)ΨQ性,即場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是可以互換的(無(wú)阻尼),一般的晶體管...
開(kāi)關(guān)比的定義:開(kāi)關(guān)比是反應(yīng)器件對(duì)電流的調(diào)控能力的,定義為器件開(kāi)狀態(tài)電流與關(guān)...開(kāi)關(guān)比的定義:開(kāi)關(guān)比是反應(yīng)器件對(duì)電流的調(diào)控能力的,定義為器件開(kāi)狀態(tài)電流與關(guān)狀態(tài)電流的比值。場(chǎng)效應(yīng)晶體管中,在源、漏電壓不變的情況下,加門壓和不加門壓時(shí)測(cè)...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類...場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型(juncTIonFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxidesemiconductorF...
MOS管電流源驅(qū)動(dòng)原理分析:在傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)方式下,開(kāi)關(guān)管VT門極電容充電的過(guò)...MOS管電流源驅(qū)動(dòng)原理分析:在傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)方式下,開(kāi)關(guān)管VT門極電容充電的過(guò)程中,充電電流、Cin 兩端電壓Ugs變化如圖1所示,to時(shí)刻門極平均電流Ig達(dá)到峰值Ugat...
信號(hào)發(fā)生電路比較簡(jiǎn)單,主要是產(chǎn)生兩路帶死區(qū)互補(bǔ)的方波信號(hào),一定要互補(bǔ)帶死區(qū)...信號(hào)發(fā)生電路比較簡(jiǎn)單,主要是產(chǎn)生兩路帶死區(qū)互補(bǔ)的方波信號(hào),一定要互補(bǔ)帶死區(qū)的方波信號(hào),否則會(huì)造成MOS/IGBT誤導(dǎo)通,造成MOS/IGBT管損壞。常見(jiàn)的信號(hào)發(fā)生電路有...
電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見(jiàn),因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路...電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見(jiàn),因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路模塊,加上那個(gè)電路模塊,拼拼湊湊連起來(lái)就是一個(gè)電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會(huì)...