如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路,上管QH開通過程會在橋臂中點產(chǎn)生高速變...如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路,上管QH開通過程會在橋臂中點產(chǎn)生高速變化的dv/dt,下管Vds電壓變化通過米勒電容CGD產(chǎn)生位移電流,從而在門極驅(qū)動電阻和寄生...
通過調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度:增大RON/ROFF來減...通過調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度:增大RON/ROFF來減慢MOSFET開通/關(guān)斷的速度,減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電壓尖峰。
圖1顯示了米勒效應(yīng)帶來的誤開通。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷而對管導(dǎo)通時, Vds 電壓快速的...圖1顯示了米勒效應(yīng)帶來的誤開通。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷而對管導(dǎo)通時, Vds 電壓快速的上升產(chǎn)生高的 dv/dt,從而在電容 Cgd 中產(chǎn)生位移電流( igd)。
當(dāng)電壓通道和電流通道之間存在時間偏移時,測量結(jié)果明顯偏高或偏低,而器件的開...當(dāng)電壓通道和電流通道之間存在時間偏移時,測量結(jié)果明顯偏高或偏低,而器件的開關(guān)速度越快,偏移的影響就越明顯。圖1為MOS管的關(guān)斷損耗測量原理圖,由此可見,只有...
一般來說,開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖1所示,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通...一般來說,開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖1所示,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”,小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”,而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為...
下面的電路摘自實際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨...下面的電路摘自實際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨界模式(BCM)的PFC向LED供電的。