雙脈沖測試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測試方法。該...雙脈沖測試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測試方法。該測試不僅可以評(píng)估對(duì)象元件的開關(guān)特性,還可以評(píng)估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復(fù)...
下圖說明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護(hù)的電路連接。需要注意的是MO...下圖說明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護(hù)的電路連接。需要注意的是MOSFET必須安裝在電源端。其中漏極D必須連接到電池的正極,柵極必須連接到系統(tǒng)接地端。...
熱阻,英文Thermal resistance,指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí),在物體兩端溫度...熱阻,英文Thermal resistance,指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí),在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值,單位是℃/W或者是K/W。
TA是指元器件所處的環(huán)境溫度,這個(gè)值在半導(dǎo)體制造商處的定義如圖1所示。然而,...TA是指元器件所處的環(huán)境溫度,這個(gè)值在半導(dǎo)體制造商處的定義如圖1所示。然而,在實(shí)際的產(chǎn)品中是不可能有這樣的環(huán)境來滿足TA測試條件的。
功率MOSFET、功率BJT和功率二極管等功率器件,散熱器對(duì)于提供散熱非常重要。從...功率MOSFET、功率BJT和功率二極管等功率器件,散熱器對(duì)于提供散熱非常重要。從名稱本身來看,它將吸收功率器件的熱量并幫助控制器件內(nèi)部安全區(qū)的溫度。
假定設(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮...假定設(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮到結(jié)到外殼還存在溫差,那么MOSFET的實(shí)際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可...