與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比,超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。導(dǎo)通電...與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比,超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。導(dǎo)通電阻的顯著降低和寄生電容的降低雖然有助于提高效率,但也產(chǎn)生電壓(dv/dt)和電流(...
開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器通常會(huì)使用功率器件,在設(shè)計(jì)過(guò)程中要...開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器通常會(huì)使用功率器件,在設(shè)計(jì)過(guò)程中要測(cè)量功率MOSFET或IGBT結(jié)溫,保證其在合理安全的工作范圍,因?yàn)楣β势骷Y(jié)溫與其安全...
比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,可以發(fā)現(xiàn),超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型...比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,可以發(fā)現(xiàn),超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點(diǎn),是在平面型結(jié)構(gòu)中開(kāi)一個(gè)低阻抗電流通路的溝槽,因此具有平...
如下圖所示,平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí),漂移層會(huì)增...如下圖所示,平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí),漂移層會(huì)增厚,存在導(dǎo)通電阻增加的課題。而超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)是排列多個(gè)垂直PN結(jié)的結(jié)構(gòu),可保持耐壓的...
當(dāng)輸入電壓Ui升高或負(fù)載變輕,引起輸出電壓Uo升高后,該電壓通過(guò)R2、RP、R3分壓...當(dāng)輸入電壓Ui升高或負(fù)載變輕,引起輸出電壓Uo升高后,該電壓通過(guò)R2、RP、R3分壓產(chǎn)生的取樣電壓升高,該電壓加到VT2的基極,由于VT2的發(fā)射極電位不變,所以VT2導(dǎo)通...
該電路使用IC LM338K作為電壓調(diào)節(jié)器,因此我們將獲得穩(wěn)定和穩(wěn)壓的輸出。穩(wěn)壓器...該電路使用IC LM338K作為電壓調(diào)節(jié)器,因此我們將獲得穩(wěn)定和穩(wěn)壓的輸出。穩(wěn)壓器 IC LM338K 提供最大 5A 的輸出電流,以及 1.2 至 32V 的電壓,它還具有集成的熱和短...