80V160A低壓MOS管 KNX2708A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專(zhuān)有新型溝槽技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=4...80V160A低壓MOS管 KNX2708A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專(zhuān)有新型溝槽技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V 3、低柵電荷最小開(kāi)關(guān)損耗 4、快速恢復體二極管
場(chǎng)效應管電機驅動(dòng)-H橋原理 所謂的H橋電路就是控制電機正反轉的。場(chǎng)效應管電機...場(chǎng)效應管電機驅動(dòng)-H橋原理 所謂的H橋電路就是控制電機正反轉的。場(chǎng)效應管電機驅動(dòng):下圖就是一種簡(jiǎn)單的H橋電路,它由2個(gè)P型場(chǎng)效應管Q1、Q2與2個(gè)N型場(chǎng)效應管Q3、Q3...
80V?150A MOS管?KNX2808A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=4.0mΩ(typ).@VGS=10V 100%雪...80V?150A MOS管?KNX2808A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=4.0mΩ(typ).@VGS=10V 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無(wú)鉛和綠色設備可用(符合RoHS標準)
對于常規VDMOS器件結構,Rdson 與BV這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV ,都是從減小EPI...對于常規VDMOS器件結構,Rdson 與BV這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV ,都是從減小EPI參雜濃度著(zhù)手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI 參雜濃度減小了,電阻必然變大...
場(chǎng)效應管時(shí)間繼電器如何工作? 場(chǎng)效應管具有極高的輸入阻抗,導通時(shí)從電源輸入...場(chǎng)效應管時(shí)間繼電器如何工作? 場(chǎng)效應管具有極高的輸入阻抗,導通時(shí)從電源輸入的電流幾乎可以忽略。因此允許采用很大的充電電阻,有利于比延時(shí)的提高。 (1)電...
IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75-產(chǎn)品特征 KIA75NF75 80V80A可完美代替IRFB3607的...IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75-產(chǎn)品特征 KIA75NF75 80V80A可完美代替IRFB3607的型號,下面介紹一下IRFB3607代替型號的參數、封裝等詳情。 1、RDS(ON)=7mΩ@VGS=1...