與MOSFET相關(guān)的三個(gè)電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數的方式測量這些...與MOSFET相關(guān)的三個(gè)電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數的方式測量這些電容并不是一件直截了當的工作,在此過(guò)程中需要它們中的某些被短路或開(kāi)路(left flo...
圖1為常用的小功率驅動(dòng)電路,簡(jiǎn)單可靠成本低,適用于不要求隔離的小功率開(kāi)關(guān)設...圖1為常用的小功率驅動(dòng)電路,簡(jiǎn)單可靠成本低,適用于不要求隔離的小功率開(kāi)關(guān)設備。其中一路直接接到下管,另外一路經(jīng)反向器反向后驅動(dòng)上管。RP1,RP2用于調節死區...
首先,FET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此,如果為 FET 分配一定的總面積,同...首先,FET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此,如果為 FET 分配一定的總面積,同時(shí)您讓高側面積更大(旨在降低其電阻),則低側的面積必減小,而其電阻增加。
P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產(chǎn)品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET,提...P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產(chǎn)品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET,提供出色的導通電阻和大多數同步降壓轉換器應用的柵極電荷。
反激電源是最常用的拓撲之一。其變壓器漏感常會(huì )引起原邊振鈴,并導致會(huì )損壞 MO...反激電源是最常用的拓撲之一。其變壓器漏感常會(huì )引起原邊振鈴,并導致會(huì )損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此,通過(guò)變壓器和MOSFET 組件的合理設計來(lái)控制振鈴非常重要。
數據表中,功率MOSFET有不同的熱阻值,數據表中的熱阻都是在一定的條件下測試的...數據表中,功率MOSFET有不同的熱阻值,數據表中的熱阻都是在一定的條件下測試的。MOSFET反并聯(lián)二極管相當于一個(gè)溫度傳感器,一定的溫度對應著(zhù)一定的二極管的壓降。...